IXFH12N90P IXFV12N90P
IXFV12N90PS
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
R
Gi
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
（TO- 247 ， PLUS220 ）
0.25
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
门输入电阻
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
5.0
8.2
1.7
3080
200
33
32
34
50
68
56
18
27
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.33
° C / W
° C / W
PLUS220 （ IXFV ）大纲
源极 - 漏极二极管
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 6A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
12
48
1.5
A
A
V
TO- 247 （ IXFH ）大纲
300纳秒
0.9
7.8
μC
A
P
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
PLUS220SMD （ IXFV_S ）大纲
e
DIM 。
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
7,157,338B2
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFH12N90P IXFV12N90P
IXFV12N90PS
图。 7.输入导纳
14
12
10
T
J
= 125C
25C
- 40C
14
T
J
= - 40C
12
10
25C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
8
6
4
2
0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
125C
12
14
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
35
30
25
16
V
DS
= 450V
14
12
I
D
= 6A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
20
15
T
J
= 125C
10
T
J
= 25C
5
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
V
GS
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
1.00
图。 12.最大瞬态热
阻抗
电容 - 皮法
西塞
Z
（日） JC
- C / W
1,000
0.10
100
科斯
f
= 1兆赫
10
0
5
10
15
20
25
CRSS
0.01
0.00001
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_12N90P （ 65 ） 08年10月22日
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