【POLARTMHiPerFETTM功率MOSFETIXFT88N30PIXFH88N30PIXFK8】,IC型号IXFT88N30P,IXFT88N30P PDF资料,IXFT88N30P经销商,ic,电子元器件-51电子网

POLAR

TM

HiPerFET

TM

功率MOSFET

IXFT88N30P

IXFH88N30P

IXFK88N30P

V

DSS

I

D25

t

rr

R

DS （ ON）

=

≤

300V

88A

40mΩ

Ω

200ns

N沟道增强模式

额定雪崩

快速内在二极管

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

V

GSM

I

D25

I

L（ rms）的

I

DM

I

A

E

AS

dv / dt的

P

D

T

J

T

JM

T

英镑

T

L

T

出售

M

d

重量

1.6毫米（ 0.063in ）从案例10秒

塑料机身10秒

安装扭矩（ TO- 247&TO -264 ）

TO-268

TO-247

TO-264

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25° C到150° C，R

GS

= 1M

Ω

连续

短暂

T

C

= 25°C

外部引线电流限制

T

C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

JM

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

I

S

≤

I

DM

, V

DD

≤

V

DSS

, T

J

≤

150°C

T

C

= 25°C

最大额定值

300

± 20

± 30

88

75

220

60

2

10

600

-55到+150

+150

-55到+150

300

260

1.13/10

4

6

10

V

A

J

V / ns的

W

°C

纳米/ lb.in 。

g

TO- 268 （ IXFT ）

G

S

TAB

TO-247(IXFH)

G

D

S

TAB

TO- 264 （ IXFK ）

G

D

S

TAB

G =门

S =源

特点

D

=漏

TAB =漏

国际标准封装

快速内在二极管

额定雪崩

低R

DS （ ON）

和Q

G

低封装电感

优势

高功率密度

易于安装

节省空间

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 0V时，我

D

= 250μA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 4毫安

V

GS

= ± 20V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

DSS

, V

GS

= 0V

T

J

= 125°C

V

GS

= 10V ，我

D

= 0.5 I

D25

注意1

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

300

2.5

5.0

V

±100 nA的

25

μA

250

μA

40 mΩ

应用

的DC-DC Coverters

电池充电器

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

AC和DC马达驱动器

不间断电源

高速电源开关

应用

DS99216F(11/09)

IXFT88N30P IXFH88N30P

IXFK88N30P

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G（ ON）的

Q

gs

Q

gd

R

thJC

R

乡镇卫生院

TO-247

TO-264

0.21

0.15

V

GS

= 10V, V

DS

= 0.5 V

DSS

, I

D

= 0.5 I

D25

电阻开关时间

V

GS

= 10V, V

DS

= 0.5 V

DSS

, I

D

= 60A

R

G

= 3.3Ω （外部）

V

GS

= 0V, V

DS

= 25V ， F = 1MHz的

V

DS

= 10V ，我

D

= 0.5 I

D25

注意1

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

40

60

6300

950

190

25

24

96

25

180

44

90

S

pF

ns

nC

0.21

° C / W

DIM 。

A

A1

A2

b

b1

b2

c

D

E

e

J

K

L

L1

P

Q

Q1

R

R1

S

T

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

5.13

2.54

2.89

2.00

2.10

1.12

1.42

2.39

2.69

2.90

3.09

0.53

0.83

25.91 26.16

19.81 19.96

5.46 BSC

0.00

0.25

0.00

0.25

20.32 20.83

2.29

2.59

3.17

3.66

6.07

6.27

8.38

8.69

3.81

4.32

1.78

2.29

6.04

6.30

1.57

1.83

英寸

分钟。

马克斯。

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

TO- 264 （ IXFK ）大纲

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

RM

V

GS

= 0V

重复，脉冲宽度为T有限公司

JM

I

F

= I

S

, V

GS

= 0V ，说明1

I

F

= 25A ， -di / DT = 100A / μs的，

V

R

= 100V, V

GS

= 0V

100

0 .6

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

88

220

1.5

200

A

V

ns

μC

TO- 247 （ IXFH ）大纲

1

2

3

P

注1.脉冲检验，t

≤

300μS ，占空比D

≤

2%.

e

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

标签 - 漏

TO- 268 （ IXFT ）大纲

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

A

4.7

5.3

2.2

2.54

A

1

A

2

2.2

2.6

b

1.0

1.4

1.65

2.13

b

1

b

2

2.87

3.12

C

.4

.8

D

20.80 21.46

E

15.75 16.26

e

5.20

5.72

L

19.81 20.32

L1

4.50

P

3.55

3.65

Q

5.89

6.40

R

4.32

5.49

S

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

通过以下一种或多项美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXFT88N30P IXFH88N30P

IXFK88N30P

图。 1.输出特性@ T

J

= 25C

90

80

70

V

GS

= 10V

9V

8V

200

180

160

7V

140

8V

120

100

80

60

40

5V

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

20

5V

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

6V

7V

V

GS

= 10V

9V

图。 2.扩展的输出特性@ T

J

= 25C

I

D

- 安培

50

40

30

20

10

0

6V

I

D

- 安培

60

V

DS

- 伏特

V

DS

- 伏特

图。 3.输出特性@ T

J

= 125C

90

80

70

V

GS

= 10V

9V

8V

3.2

图。 4.

DS （ ON）

归到我

D

= 44A价值

- 结温

V

GS

= 10V

2.8

R

DS （ ON）

- 归

7V

2.4

I

D

- 安培

60

50

40

30

20

10

0

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

5V

6V

I

D

= 88A

2.0

1.6

I

D

= 44A

1.2

0.8

0.4

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

V

DS

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

D

= 44A价值

与漏电流

3.6

V

GS

= 10V

3.2

T

J

= 125C

80

70

60

图。 6，最大漏极电流与

外壳温度

外部引线电流限制

R

DS （ ON）

- 归

2.8

2.4

2.0

1.6

I

D

- 安培

T

J

= 25C

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

50

40

30

20

10

0

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

1.2

0.8

I

D

- 安培

T

C

- 摄氏

IXFT88N30P IXFH88N30P

IXFK88N30P

图。 7.输入导纳

160

140

120

100

80

60

40

20

0

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

10

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

T

J

= 125C

25C

- 40C

100

T

J

= - 40C

90

80

图。 8.跨导

g

F小号

- 西门子

70

60

50

40

30

I

D

- 安培

25C

125C

V

GS

- 伏特

I

D

- 安培

图。征二极管9.正向电压降

240

10

V

DS

= 150V

200

8

I

D

= 44A

I

G

= 10毫安

图。 10.栅极电荷

I

S

- 安培

160

V

GS

- 伏特

T

J

= 125C

T

J

= 25C

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

6

120

4

80

40

2

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

V

SD

- 伏特

Q

G

- nanocoulombs

图。 11.电容

10,000

1,000

图。 12.正向偏置安全工作区

电容 - 皮法

西塞

100

R

DS （ ON）

极限

1ms

10ms

100s

25s

科斯

1,000

I

D

- 安培

DC

10

CRSS

T

J

= 150C

T

C

= 25C

单脉冲

1

0

5

10

15

20

25

30

35

40

1

10

100

1000

f

= 1兆赫

100

V

DS

- 伏特

V

DS

- 伏特

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXFT88N30P IXFH88N30P

IXFK88N30P

图。 13.最大瞬态热阻抗

1.000

Z

（ TH） J·C

- C / W

0.100

0.010

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

脉冲宽度 - 二

IXYS REF ： T_88N30P （ 8S ） 09年11月18日-A