IXFH 80N10Q
IXFT 80N10Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
30
45
4500
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1600
870
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1.5
W
（外部）
70
68
30
180
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
36
95
0.35
(TO-247)
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
80
320
1.5
200
A
A
V
ns
mC
A
J
K
L
M
N
1.5 2.49
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 50 V
0.85
8
TO- 268AA （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
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