HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
雪崩额定高dv / dt ，低Q
g
初步数据表
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
TO-247
TO-268
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
IXFH 58N20Q
IXFT 58N20Q
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 200 V
=
58 A
=
40毫瓦
t
rr
200纳秒
最大额定值
200
200
±20
±30
58
232
58
30
1.0
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
6
4
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
g
g
TO- 268 （ D3 ） （ IXFT ）机箱样式
G
S
（ TAB ）
的TO- 247的AD
（ TAB ）
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
l
l
l
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
200
2.0
4.0
±100
25
1
40
V
V
nA
A
mA
m
l
l
l
IXYS先进的低Q
g
过程
国际标准封装
低栅极电荷和电容
- 容易驾驶
- 更快的切换
低R
DS （ ON）
非钳位感应开关（ UIS）
评级
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
优势
l
l
l
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
易于安装
节省空间
高功率密度
版权所有1999 IXYS所有权利。
98523A (5/99)
IXFH
IXFT
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
24
34
3600
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
870
280
20
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1.5
（外部）
40
40
13
98 140
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
25
45
35
70
0.42
(TO-247)
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
1
2
3
58N20Q
58N20Q
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
58
232
1.5
200
A
A
V
ns
C
A
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268外形
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
0.7
7
分钟。推荐足迹
尺寸在毫米和英寸
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
雪崩额定高dv / dt ，低Q
g
初步数据表
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
TO-247
TO-268
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
IXFH 58N20Q
IXFT 58N20Q
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 200 V
=
58 A
=
40毫瓦
t
rr
200纳秒
最大额定值
200
200
±20
±30
58
232
58
30
1.0
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
6
4
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
g
g
TO- 268 （ D3 ） （ IXFT ）机箱样式
G
S
（ TAB ）
的TO- 247的AD
（ TAB ）
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
l
l
l
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
200
2.0
4.0
±100
25
1
40
V
V
nA
A
mA
m
l
l
l
IXYS先进的低Q
g
过程
国际标准封装
低栅极电荷和电容
- 容易驾驶
- 更快的切换
低R
DS （ ON）
非钳位感应开关（ UIS）
评级
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
优势
l
l
l
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
易于安装
节省空间
高功率密度
版权所有1999 IXYS所有权利。
98523A (5/99)
IXFH
IXFT
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
24
34
3600
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
870
280
20
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1.5
（外部）
40
40
13
98 140
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
25
45
35
70
0.42
(TO-247)
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
1
2
3
58N20Q
58N20Q
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
58
232
1.5
200
A
A
V
ns
C
A
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
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Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268外形
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
0.7
7
分钟。推荐足迹
尺寸在毫米和英寸
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
QQ：2881677436 复制
