HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
V
DSS
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM/IXFT50N20
IXFH/IXFT58N20
200 V
200 V
200 V
I
D25
R
DS （ ON）
42 60MW的
50 A 45MW
58一40毫瓦
t
rr
200纳秒
AD TO- 247 （ IXFH ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
42N20
50N20
58N20
42N20
50N20
58N20
42N20
50N20
58N20
最大额定值
200
200
±20
±30
42
50
58
168
200
232
42
50
58
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
G
TO- 268 （ D3 ）机箱样式
（ TAB ）
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
S
（ TAB ）
TO- 204 AE （ IXFM ）
S
D
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
G
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
DC-DC变换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
温度和照明控制
低电压继电器
优势
易于使用1螺口（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率表面贴装封装
高功率密度
91522H (2/98)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
200
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
V
V
nA
mA
mA
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
R
DS （ ON）
42N20
50N20
58N20
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
20
32
4400
800
285
18
15
72
16
190
35
95
0.25
25
20
90
25
220
50
110
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
分钟。
IXFH / IXFM58N20 IXFT50N20
IXFT58N20
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
特征值
典型值。
马克斯。
0.060
W
0.045
W
0.040
W
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
（ TO- 247和TO- 204外壳样式）
0.42 K / W
K / W
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
MIN 。 TYP 。
马克斯。
42N20
50N20
58N20
42N20
50N20
58N20
42
50
58
168
200
232
1.5
200
300
1.5
2.6
19
23
A
A
A
A
A
A
V
ns
ns
mC
mC
A
A
1.5 2.49
TO- 204 AE （ IXFM ）大纲
I
SM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= 25A,
-di / DT = 100 A / MS ，
V
R
= 100 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
TO- 268AA （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
毫米
分钟。马克斯。
38.61 39.12
- 22.22
6.40 11.40
1.45 1.60
1.52 3.43
30.15 BSC
10.67 11.17
5.21 5.71
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84 4.19
25.16 26.66
英寸
分钟。马克斯。
1.520 1.540
- 0.875
0.252 0.449
0.057 0.063
0.060 0.135
1.187 BSC
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.050
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
图。 1输出特性
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
5V
IXFH / IXFM58N20 IXFT50N20
IXFT58N20
图。 2输入导纳
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
I
D
- 安培
I
D
- 安培
6V
T
J
= 25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
2.6
2.4
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
= 25A
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
80
70
60
58N20
50N20
42N20
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
V
GS （ TH）
1.1
BV
DSS
BV / V
G（ TH ）
- 归
I
D
- 安培
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
50
40
30
20
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
图7栅极电荷特性曲线
IXFH / IXFM58N20 IXFT50N20
IXFT58N20
图8正向偏置安全工作区
14
V
DS
= 100V
12
I = 10毫安
G
I
D
= 50A
100
限于由R
DS （ ON）
10s
I
D
- 安培
V
GE
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
100s
10
1ms
10ms
100ms
1
1
10
100
200
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
图9电容曲线
4500
4000
50
40
图10源电流和源
漏极电压
C
国际空间站
电容 - pF的
3500
I
D
- 安培
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
F = 1MHz的
V
DS
= 25V
30
20
10
0
0.4
T
J
= 125°C
C
OSS
C
RSS
T
J
= 25°C
10
15
20
25
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
DS
- 伏特
V
SD
- 伏特
图11瞬态热阻抗
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
时间 - SECONDS
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
V
DSS
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM/IXFT50N20
IXFH/IXFT58N20
200 V
200 V
200 V
I
D25
R
DS （ ON）
42 60MW的
50 A 45MW
58一40毫瓦
t
rr
200纳秒
AD TO- 247 （ IXFH ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
42N20
50N20
58N20
42N20
50N20
58N20
42N20
50N20
58N20
最大额定值
200
200
±20
±30
42
50
58
168
200
232
42
50
58
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
G
TO- 268 （ D3 ）机箱样式
（ TAB ）
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
S
（ TAB ）
TO- 204 AE （ IXFM ）
S
D
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
G
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
DC-DC变换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
温度和照明控制
低电压继电器
优势
易于使用1螺口（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率表面贴装封装
高功率密度
91522H (2/98)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
200
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
V
V
nA
mA
mA
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
R
DS （ ON）
42N20
50N20
58N20
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
20
32
4400
800
285
18
15
72
16
190
35
95
0.25
25
20
90
25
220
50
110
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
分钟。
IXFH / IXFM58N20 IXFT50N20
IXFT58N20
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
特征值
典型值。
马克斯。
0.060
W
0.045
W
0.040
W
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
（ TO- 247和TO- 204外壳样式）
0.42 K / W
K / W
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
MIN 。 TYP 。
马克斯。
42N20
50N20
58N20
42N20
50N20
58N20
42
50
58
168
200
232
1.5
200
300
1.5
2.6
19
23
A
A
A
A
A
A
V
ns
ns
mC
mC
A
A
1.5 2.49
TO- 204 AE （ IXFM ）大纲
I
SM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= 25A,
-di / DT = 100 A / MS ，
V
R
= 100 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
TO- 268AA （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
毫米
分钟。马克斯。
38.61 39.12
- 22.22
6.40 11.40
1.45 1.60
1.52 3.43
30.15 BSC
10.67 11.17
5.21 5.71
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84 4.19
25.16 26.66
英寸
分钟。马克斯。
1.520 1.540
- 0.875
0.252 0.449
0.057 0.063
0.060 0.135
1.187 BSC
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.050
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
图。 1输出特性
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
5V
IXFH / IXFM58N20 IXFT50N20
IXFT58N20
图。 2输入导纳
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
I
D
- 安培
I
D
- 安培
6V
T
J
= 25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
2.6
2.4
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
= 25A
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
80
70
60
58N20
50N20
42N20
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
V
GS （ TH）
1.1
BV
DSS
BV / V
G（ TH ）
- 归
I
D
- 安培
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
50
40
30
20
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
图7栅极电荷特性曲线
IXFH / IXFM58N20 IXFT50N20
IXFT58N20
图8正向偏置安全工作区
14
V
DS
= 100V
12
I = 10毫安
G
I
D
= 50A
100
限于由R
DS （ ON）
10s
I
D
- 安培
V
GE
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
100s
10
1ms
10ms
100ms
1
1
10
100
200
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
图9电容曲线
4500
4000
50
40
图10源电流和源
漏极电压
C
国际空间站
电容 - pF的
3500
I
D
- 安培
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
F = 1MHz的
V
DS
= 25V
30
20
10
0
0.4
T
J
= 125°C
C
OSS
C
RSS
T
J
= 25°C
10
15
20
25
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
DS
- 伏特
V
SD
- 伏特
图11瞬态热阻抗
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
时间 - SECONDS
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
V
DSS
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM/IXFT50N20
IXFH/IXFT58N20
200 V
200 V
200 V
I
D25
R
DS （ ON）
42 60MW的
50 A 45MW
58一40毫瓦
t
rr
200纳秒
AD TO- 247 （ IXFH ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
42N20
50N20
58N20
42N20
50N20
58N20
42N20
50N20
58N20
最大额定值
200
200
±20
±30
42
50
58
168
200
232
42
50
58
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
G
TO- 268 （ D3 ）机箱样式
（ TAB ）
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
S
（ TAB ）
TO- 204 AE （ IXFM ）
S
D
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
G
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
DC-DC变换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
温度和照明控制
低电压继电器
优势
易于使用1螺口（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率表面贴装封装
高功率密度
91522H (2/98)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
200
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
V
V
nA
mA
mA
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
R
DS （ ON）
42N20
50N20
58N20
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
20
32
4400
800
285
18
15
72
16
190
35
95
0.25
25
20
90
25
220
50
110
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
分钟。
IXFH / IXFM58N20 IXFT50N20
IXFT58N20
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
特征值
典型值。
马克斯。
0.060
W
0.045
W
0.040
W
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
（ TO- 247和TO- 204外壳样式）
0.42 K / W
K / W
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
MIN 。 TYP 。
马克斯。
42N20
50N20
58N20
42N20
50N20
58N20
42
50
58
168
200
232
1.5
200
300
1.5
2.6
19
23
A
A
A
A
A
A
V
ns
ns
mC
mC
A
A
1.5 2.49
TO- 204 AE （ IXFM ）大纲
I
SM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= 25A,
-di / DT = 100 A / MS ，
V
R
= 100 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
TO- 268AA （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
毫米
分钟。马克斯。
38.61 39.12
- 22.22
6.40 11.40
1.45 1.60
1.52 3.43
30.15 BSC
10.67 11.17
5.21 5.71
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84 4.19
25.16 26.66
英寸
分钟。马克斯。
1.520 1.540
- 0.875
0.252 0.449
0.057 0.063
0.060 0.135
1.187 BSC
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.050
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
图。 1输出特性
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
5V
IXFH / IXFM58N20 IXFT50N20
IXFT58N20
图。 2输入导纳
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
I
D
- 安培
I
D
- 安培
6V
T
J
= 25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
2.6
2.4
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
= 25A
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
80
70
60
58N20
50N20
42N20
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
V
GS （ TH）
1.1
BV
DSS
BV / V
G（ TH ）
- 归
I
D
- 安培
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
50
40
30
20
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
图7栅极电荷特性曲线
IXFH / IXFM58N20 IXFT50N20
IXFT58N20
图8正向偏置安全工作区
14
V
DS
= 100V
12
I = 10毫安
G
I
D
= 50A
100
限于由R
DS （ ON）
10s
I
D
- 安培
V
GE
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
100s
10
1ms
10ms
100ms
1
1
10
100
200
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
图9电容曲线
4500
4000
50
40
图10源电流和源
漏极电压
C
国际空间站
电容 - pF的
3500
I
D
- 安培
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
F = 1MHz的
V
DS
= 25V
30
20
10
0
0.4
T
J
= 125°C
C
OSS
C
RSS
T
J
= 25°C
10
15
20
25
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
DS
- 伏特
V
SD
- 伏特
图11瞬态热阻抗
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
时间 - SECONDS
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
QQ：2881677436 复制
