【HiPerFETTM功率MOSFETQ系列N沟道增强模式额定雪崩，低Qg，高dv / dt初步数据表】,IC型号IXFT4N100Q,IXFT4N100Q PDF资料,IXFT4N100Q经销商,ic,电子元器件-51电子网

HiPerFET

功率MOSFET

Q系列

N沟道增强模式

额定雪崩，低Q

，高dv / dt

初步数据表

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

重量

从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）

安装力矩

TO-247

TO-268

， di / dt的

100 A / MS ，V

DSS

150℃ ，R

= 2

= 25°C

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1兆瓦

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

IXFH 4N100Q V

DSS

IXFT 4N100Q我

D25

DS （ ON）

= 1000 V

3.0

250纳秒

最大额定值

1000

±20

±30

700

150

-55到+150

150

-55到+150

300

1.13/10

V / ns的

°C

纳米/ lb.in 。

AD TO- 247 （ IXFH ）

（ TAB ）

的TO- 268 （ D3），（ IXFT ）

（ TAB ）

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

特点

IXYS先进的低Q

过程

低栅极电荷和电容

- 容易驾驶

- 更快的切换

国际标准封装

低R

DS （ ON）

非钳位感应开关（ UIS）

评级

成型环氧符合UL 94 V- 0

易燃性分类科幻阳离子

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

1000

3.0

5.0

±100

= 25°C

= 125°C

3.0

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 1毫安

= V

, I

= 1.5毫安

±20

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

98648A (03/24/00)

1-4

IXFH 4N100Q

IXFT 4N100Q

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1.5

2.5

1050

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

120

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 4.7

（外部）

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

0.8

(TO-247)

0.25

K / W

暗淡。毫米

分钟。马克斯。

19.81 20.32

20.80 21.46

15.75 16.26

3.55 3.65

4.32 5.49

5.4

6.2

1.65 2.13

4.5

1.0

1.4

10.8 11.0

4.7

0.4

5.3

0.8

英寸

分钟。马克斯。

0.780 0.800

0.819 0.845

0.610 0.640

0.140 0.144

0.170 0.216

0.212 0.244

0.065 0.084

0.177

0.040 0.055

0.426 0.433

0.185 0.209

0.016 0.031

0.087 0.102

AD TO- 247 （ IXFH ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 20V;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1.5

1.5 2.49

重复;脉冲宽度限制T

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

= I

， -di / DT = 100 A / MS ，V

= 100 V

0.52

1.8

250

TO- 268AA （D

PAK ）

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

4.9

5.1

2.7

2.9

.02

.25

1.15

1.45

1.9

2.1

.65

13.80 14.00

15.85 16.05

13.3

13.6

5.45 BSC

18.70 19.10

2.40

2.70

1.20

1.40

1.00

1.15

0.25 BSC

3.80

4.10

英寸

分钟。马克斯。

.193 .201

.106 .114

.001 .010

.045 .057

.75

.83

.016 .026

.543 .551

.624 .632

.524 .535

0.215 BSC

.736 .752

.094 .106

.047 .055

.039 .045

0.010 BSC

.150 .161

分钟。推荐足迹

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,881,106

5,017,508

5,049,961

5,187,117

5,486,715

4,850,072

4,931,844

5,034,796

5,063,307

5,237,481

5,381,025

2-4

IXFH 4N100Q

IXFT 4N100Q

图1.输出特性25

TJ = 25°C

VGS = 10V

图2.扩展的输出特性，在125

TJ = 25°C

VGS = 10V

- 安培

- 伏特

图。R

DS （ ON）

标准化为0.5升

D25

价值与我

= 125°C

图4.导纳曲线

VGS = 10V

- 安培

TJ = 125℃

TJ = 25℃

- 伏特

图5.

DS （ ON）

标准化为0.5升

D25

价值与我

2.4

2.2

DS （ ON）

- 归

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

TJ = 25°C

VGS = 10V

图6.

DS （ ON）

标准化为0.5升

D25

值与T

2.4

2.2

DS （ ON）

- 归

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

100

125

150

VGS = 10V

ID = 2A

TJ = 125°C

- 安培

- 摄氏度

3-4

IXFH 4N100Q

IXFT 4N100Q

图7.栅极电荷

= 600 V

= 3 A

= 10毫安

图8.电容曲线

2000

西塞

1000

电容 - pF的

F = 1MHz的

科斯

CRSS

- 伏特

100

栅极电荷 - 数控

- 伏特

本征二极管图9.正向电压降

Figure10 。漏电流与外壳温度

- 安培

= 125

- 安培

1.2

= 25

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

-50

-25

100 125 150

- 伏特

- 摄氏

图11.瞬态热阻

1.00

R（日）

- K / W

0.10

0.01

-4

-3

-2

-1

脉冲宽度 - 秒

4-4

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