HiPerFET
功率MOSFET
TM
V
DSS
IXFH/IXFM21N50
IXFH/IXFM/IXFT24N50
IXFH/IXFT26N50
I
D25
R
DS （ ON）
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
500 V 21 0.25
500 V 24 0.23
500 V 26 0.20
t
rr
≤
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
最大额定值
500
500
±20
±30
21
24
26
84
96
104
21
24
26
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
TO- 268 （ D3 ）机箱样式
G
S
TO- 204 AE （ IXFM ）
（ TAB ）
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
D
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
G
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13/10
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
DC-DC变换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
温度和照明控制
低电压继电器
优势
易于使用1螺口（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率表面贴装封装
高功率密度
91525H (9/99)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
V
V
nA
A
mA
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
版权所有1999 IXYS所有权利。
IXFH21N50
IXFM21N50
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
21N50
24N50
26N50
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
d
≤
2 %
11
21
4200
450
135
16
33
65
30
135
28
62
0.25
25
45
80
40
160
40
85
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
0.25
0.23
0.20
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
1
2
3
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
（外部）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
（ TO- 247封装类型）
0.42 K / W
K / W
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
21
24
26
84
96
104
1.5
250
400
1
2
10
15
A
A
A
A
A
A
V
ns
ns
C
C
A
A
TO- 204 AE （ IXFM ）大纲
I
SM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
d
≤
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / μs的，
V
R
= 100 V
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
25°C
125°C
25°C
125°C
25°C
125°C
销： 1 - 门， 2 - 资源，案例 - 漏
DIM 。
A
A1
b
D
e
e1
L
p
p1
q
R
R1
s
10.67
5.21
11.18
3.84
3.84
12.58
3.33
16.64
毫米
分钟。
马克斯。
6.4
1.53
1.45
11.4
3.42
1.60
22.22
11.17
5.71
12.19
4.19
4.19
13.33
4.77
17.14
.420
.205
.440
.151
.151
.495
.131
.655
英寸
分钟。
马克斯。
.250
.060
.057
.450
.135
.063
.875
.440
.225
.480
.165
.165
.525
.188
.675
注1 ：添加"S"后缀TO- 247 SMD封装选项（例如： IXFH24N50S ）
TO- 268外形
30.15 BSC
1.187 BSC
分钟。推荐足迹
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
图。 2输入导纳
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
图。 1输出特性
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5V
V
GS
= 10V
7V
T
J
= 25°C
6V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
T
J
= 25°C
V
DS
= 10V
I
D
- 安培
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
- 安培
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.6
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
1.5
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
1.4
1.3
V
GS
= 10V
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 12A
1.2
V
GS
= 15V
1.1
1.0
0.9
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
30
26N50
24N50
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
V
GS （ TH）
BV / V
G（ TH ）
- 归
25
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.5
-50
-25
0
25
50
75
21N50
BV
DSS
I
D
- 安培
20
15
10
5
0
-50
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有1999 IXYS所有权利。
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
Fig.7
栅极电荷特性曲线
图8正向偏置安全工作区
10
9
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 12.5A
I
G
= 10毫安
100
限于由R
DS （ ON）
10s
100s
I
D
- 安培
V
GE
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
10
1ms
10ms
1
100ms
0.1
1
10
100
500
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
Fig.9
电容曲线
图10源电流和源极到漏极电压
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
F = 1 MHz的
V
DS
= 25V
50
C
国际空间站
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.00
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
电容 - pF的
C
OSS
C
RSS
25
I
D
- 安培
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V
DS
- 伏特
V
SD
- 伏
图11瞬态热阻抗
1
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
时间 - SECONDS
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
HiPerFET
功率MOSFET
TM
V
DSS
IXFH/IXFM21N50
IXFH/IXFM/IXFT24N50
IXFH/IXFT26N50
I
D25
R
DS （ ON）
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
500 V 21 0.25
500 V 24 0.23
500 V 26 0.20
t
rr
≤
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
最大额定值
500
500
±20
±30
21
24
26
84
96
104
21
24
26
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
TO- 268 （ D3 ）机箱样式
G
S
TO- 204 AE （ IXFM ）
（ TAB ）
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
D
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
G
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13/10
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
DC-DC变换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
温度和照明控制
低电压继电器
优势
易于使用1螺口（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率表面贴装封装
高功率密度
91525H (9/99)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
V
V
nA
A
mA
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
版权所有1999 IXYS所有权利。
IXFH21N50
IXFM21N50
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
21N50
24N50
26N50
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
d
≤
2 %
11
21
4200
450
135
16
33
65
30
135
28
62
0.25
25
45
80
40
160
40
85
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
0.25
0.23
0.20
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
1
2
3
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
（外部）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
（ TO- 247封装类型）
0.42 K / W
K / W
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
21
24
26
84
96
104
1.5
250
400
1
2
10
15
A
A
A
A
A
A
V
ns
ns
C
C
A
A
TO- 204 AE （ IXFM ）大纲
I
SM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
d
≤
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / μs的，
V
R
= 100 V
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
25°C
125°C
25°C
125°C
25°C
125°C
销： 1 - 门， 2 - 资源，案例 - 漏
DIM 。
A
A1
b
D
e
e1
L
p
p1
q
R
R1
s
10.67
5.21
11.18
3.84
3.84
12.58
3.33
16.64
毫米
分钟。
马克斯。
6.4
1.53
1.45
11.4
3.42
1.60
22.22
11.17
5.71
12.19
4.19
4.19
13.33
4.77
17.14
.420
.205
.440
.151
.151
.495
.131
.655
英寸
分钟。
马克斯。
.250
.060
.057
.450
.135
.063
.875
.440
.225
.480
.165
.165
.525
.188
.675
注1 ：添加"S"后缀TO- 247 SMD封装选项（例如： IXFH24N50S ）
TO- 268外形
30.15 BSC
1.187 BSC
分钟。推荐足迹
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
图。 2输入导纳
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
图。 1输出特性
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5V
V
GS
= 10V
7V
T
J
= 25°C
6V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
T
J
= 25°C
V
DS
= 10V
I
D
- 安培
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
- 安培
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.6
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
1.5
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
1.4
1.3
V
GS
= 10V
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 12A
1.2
V
GS
= 15V
1.1
1.0
0.9
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
30
26N50
24N50
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
V
GS （ TH）
BV / V
G（ TH ）
- 归
25
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.5
-50
-25
0
25
50
75
21N50
BV
DSS
I
D
- 安培
20
15
10
5
0
-50
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有1999 IXYS所有权利。
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
Fig.7
栅极电荷特性曲线
图8正向偏置安全工作区
10
9
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 12.5A
I
G
= 10毫安
100
限于由R
DS （ ON）
10s
100s
I
D
- 安培
V
GE
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
10
1ms
10ms
1
100ms
0.1
1
10
100
500
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
Fig.9
电容曲线
图10源电流和源极到漏极电压
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
F = 1 MHz的
V
DS
= 25V
50
C
国际空间站
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.00
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
电容 - pF的
C
OSS
C
RSS
25
I
D
- 安培
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V
DS
- 伏特
V
SD
- 伏
图11瞬态热阻抗
1
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
时间 - SECONDS
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
HiPerFET
功率MOSFET
TM
V
DSS
IXFH/IXFM21N50
IXFH/IXFM/IXFT24N50
IXFH/IXFT26N50
I
D25
R
DS （ ON）
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
500 V 21 0.25
500 V 24 0.23
500 V 26 0.20
t
rr
≤
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
最大额定值
500
500
±20
±30
21
24
26
84
96
104
21
24
26
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
TO- 268 （ D3 ）机箱样式
G
S
TO- 204 AE （ IXFM ）
（ TAB ）
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
D
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
G
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13/10
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
DC-DC变换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
温度和照明控制
低电压继电器
优势
易于使用1螺口（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率表面贴装封装
高功率密度
91525H (9/99)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
V
V
nA
A
mA
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
版权所有1999 IXYS所有权利。
IXFH21N50
IXFM21N50
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
21N50
24N50
26N50
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
d
≤
2 %
11
21
4200
450
135
16
33
65
30
135
28
62
0.25
25
45
80
40
160
40
85
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
0.25
0.23
0.20
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
1
2
3
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
（外部）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
（ TO- 247封装类型）
0.42 K / W
K / W
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
21
24
26
84
96
104
1.5
250
400
1
2
10
15
A
A
A
A
A
A
V
ns
ns
C
C
A
A
TO- 204 AE （ IXFM ）大纲
I
SM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
d
≤
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / μs的，
V
R
= 100 V
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
25°C
125°C
25°C
125°C
25°C
125°C
销： 1 - 门， 2 - 资源，案例 - 漏
DIM 。
A
A1
b
D
e
e1
L
p
p1
q
R
R1
s
10.67
5.21
11.18
3.84
3.84
12.58
3.33
16.64
毫米
分钟。
马克斯。
6.4
1.53
1.45
11.4
3.42
1.60
22.22
11.17
5.71
12.19
4.19
4.19
13.33
4.77
17.14
.420
.205
.440
.151
.151
.495
.131
.655
英寸
分钟。
马克斯。
.250
.060
.057
.450
.135
.063
.875
.440
.225
.480
.165
.165
.525
.188
.675
注1 ：添加"S"后缀TO- 247 SMD封装选项（例如： IXFH24N50S ）
TO- 268外形
30.15 BSC
1.187 BSC
分钟。推荐足迹
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
图。 2输入导纳
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
图。 1输出特性
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5V
V
GS
= 10V
7V
T
J
= 25°C
6V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
T
J
= 25°C
V
DS
= 10V
I
D
- 安培
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
- 安培
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.6
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
1.5
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
1.4
1.3
V
GS
= 10V
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 12A
1.2
V
GS
= 15V
1.1
1.0
0.9
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
30
26N50
24N50
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
V
GS （ TH）
BV / V
G（ TH ）
- 归
25
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.5
-50
-25
0
25
50
75
21N50
BV
DSS
I
D
- 安培
20
15
10
5
0
-50
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有1999 IXYS所有权利。
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
Fig.7
栅极电荷特性曲线
图8正向偏置安全工作区
10
9
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 12.5A
I
G
= 10毫安
100
限于由R
DS （ ON）
10s
100s
I
D
- 安培
V
GE
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
10
1ms
10ms
1
100ms
0.1
1
10
100
500
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
Fig.9
电容曲线
图10源电流和源极到漏极电压
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
F = 1 MHz的
V
DS
= 25V
50
C
国际空间站
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.00
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
电容 - pF的
C
OSS
C
RSS
25
I
D
- 安培
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V
DS
- 伏特
V
SD
- 伏
图11瞬态热阻抗
1
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
时间 - SECONDS
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
HiPerFET
功率MOSFET
TM
V
DSS
IXFH/IXFM21N50
IXFH/IXFM/IXFT24N50
IXFH/IXFT26N50
I
D25
R
DS （ ON）
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
500 V 21 0.25
500 V 24 0.23
500 V 26 0.20
t
rr
≤
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
最大额定值
500
500
±20
±30
21
24
26
84
96
104
21
24
26
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
TO- 268 （ D3 ）机箱样式
G
S
TO- 204 AE （ IXFM ）
（ TAB ）
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
D
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
G
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13/10
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
DC-DC变换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
温度和照明控制
低电压继电器
优势
易于使用1螺口（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率表面贴装封装
高功率密度
91525H (9/99)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
V
V
nA
A
mA
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
版权所有1999 IXYS所有权利。
IXFH21N50
IXFM21N50
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
21N50
24N50
26N50
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
d
≤
2 %
11
21
4200
450
135
16
33
65
30
135
28
62
0.25
25
45
80
40
160
40
85
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
0.25
0.23
0.20
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
1
2
3
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
（外部）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
（ TO- 247封装类型）
0.42 K / W
K / W
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
21
24
26
84
96
104
1.5
250
400
1
2
10
15
A
A
A
A
A
A
V
ns
ns
C
C
A
A
TO- 204 AE （ IXFM ）大纲
I
SM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
d
≤
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / μs的，
V
R
= 100 V
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
25°C
125°C
25°C
125°C
25°C
125°C
销： 1 - 门， 2 - 资源，案例 - 漏
DIM 。
A
A1
b
D
e
e1
L
p
p1
q
R
R1
s
10.67
5.21
11.18
3.84
3.84
12.58
3.33
16.64
毫米
分钟。
马克斯。
6.4
1.53
1.45
11.4
3.42
1.60
22.22
11.17
5.71
12.19
4.19
4.19
13.33
4.77
17.14
.420
.205
.440
.151
.151
.495
.131
.655
英寸
分钟。
马克斯。
.250
.060
.057
.450
.135
.063
.875
.440
.225
.480
.165
.165
.525
.188
.675
注1 ：添加"S"后缀TO- 247 SMD封装选项（例如： IXFH24N50S ）
TO- 268外形
30.15 BSC
1.187 BSC
分钟。推荐足迹
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
图。 2输入导纳
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
图。 1输出特性
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5V
V
GS
= 10V
7V
T
J
= 25°C
6V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
T
J
= 25°C
V
DS
= 10V
I
D
- 安培
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
- 安培
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.6
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
1.5
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
1.4
1.3
V
GS
= 10V
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 12A
1.2
V
GS
= 15V
1.1
1.0
0.9
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
30
26N50
24N50
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
V
GS （ TH）
BV / V
G（ TH ）
- 归
25
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.5
-50
-25
0
25
50
75
21N50
BV
DSS
I
D
- 安培
20
15
10
5
0
-50
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有1999 IXYS所有权利。
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
Fig.7
栅极电荷特性曲线
图8正向偏置安全工作区
10
9
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 12.5A
I
G
= 10毫安
100
限于由R
DS （ ON）
10s
100s
I
D
- 安培
V
GE
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
10
1ms
10ms
1
100ms
0.1
1
10
100
500
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
Fig.9
电容曲线
图10源电流和源极到漏极电压
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
F = 1 MHz的
V
DS
= 25V
50
C
国际空间站
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.00
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
电容 - pF的
C
OSS
C
RSS
25
I
D
- 安培
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V
DS
- 伏特
V
SD
- 伏
图11瞬态热阻抗
1
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
时间 - SECONDS
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
HiPerFET
功率MOSFET
TM
V
DSS
IXFH/IXFM21N50
IXFH/IXFM/IXFT24N50
IXFH/IXFT26N50
I
D25
R
DS （ ON）
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
500 V 21 0.25
500 V 24 0.23
500 V 26 0.20
t
rr
≤
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
最大额定值
500
500
±20
±30
21
24
26
84
96
104
21
24
26
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
TO- 268 （ D3 ）机箱样式
G
S
TO- 204 AE （ IXFM ）
（ TAB ）
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
D
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
G
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13/10
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
DC-DC变换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
温度和照明控制
低电压继电器
优势
易于使用1螺口（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率表面贴装封装
高功率密度
91525H (9/99)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
V
V
nA
A
mA
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
版权所有1999 IXYS所有权利。
IXFH21N50
IXFM21N50
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
21N50
24N50
26N50
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
d
≤
2 %
11
21
4200
450
135
16
33
65
30
135
28
62
0.25
25
45
80
40
160
40
85
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
0.25
0.23
0.20
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
1
2
3
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
（外部）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
（ TO- 247封装类型）
0.42 K / W
K / W
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
21N50
24N50
26N50
21N50
24N50
26N50
21
24
26
84
96
104
1.5
250
400
1
2
10
15
A
A
A
A
A
A
V
ns
ns
C
C
A
A
TO- 204 AE （ IXFM ）大纲
I
SM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
d
≤
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / μs的，
V
R
= 100 V
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
T
J
=
25°C
125°C
25°C
125°C
25°C
125°C
销： 1 - 门， 2 - 资源，案例 - 漏
DIM 。
A
A1
b
D
e
e1
L
p
p1
q
R
R1
s
10.67
5.21
11.18
3.84
3.84
12.58
3.33
16.64
毫米
分钟。
马克斯。
6.4
1.53
1.45
11.4
3.42
1.60
22.22
11.17
5.71
12.19
4.19
4.19
13.33
4.77
17.14
.420
.205
.440
.151
.151
.495
.131
.655
英寸
分钟。
马克斯。
.250
.060
.057
.450
.135
.063
.875
.440
.225
.480
.165
.165
.525
.188
.675
注1 ：添加"S"后缀TO- 247 SMD封装选项（例如： IXFH24N50S ）
TO- 268外形
30.15 BSC
1.187 BSC
分钟。推荐足迹
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
图。 2输入导纳
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
图。 1输出特性
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5V
V
GS
= 10V
7V
T
J
= 25°C
6V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
T
J
= 25°C
V
DS
= 10V
I
D
- 安培
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
- 安培
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.6
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
1.5
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
1.4
1.3
V
GS
= 10V
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 12A
1.2
V
GS
= 15V
1.1
1.0
0.9
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
30
26N50
24N50
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
V
GS （ TH）
BV / V
G（ TH ）
- 归
25
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.5
-50
-25
0
25
50
75
21N50
BV
DSS
I
D
- 安培
20
15
10
5
0
-50
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有1999 IXYS所有权利。
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
Fig.7
栅极电荷特性曲线
图8正向偏置安全工作区
10
9
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 12.5A
I
G
= 10毫安
100
限于由R
DS （ ON）
10s
100s
I
D
- 安培
V
GE
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
10
1ms
10ms
1
100ms
0.1
1
10
100
500
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
Fig.9
电容曲线
图10源电流和源极到漏极电压
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
F = 1 MHz的
V
DS
= 25V
50
C
国际空间站
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.00
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
电容 - pF的
C
OSS
C
RSS
25
I
D
- 安培
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V
DS
- 伏特
V
SD
- 伏
图11瞬态热阻抗
1
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
时间 - SECONDS
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
QQ：2881677436 复制
