IXFH 16N80P IXFT 16N80P
IXFV 16N80P IXFV 16N80PS
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
9
16
4600
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
330
23
27
V
GS
= 10 V, V
DS
= V
DSS ,
I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 5
Ω
(外部)
32
75
29
71
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
21
23
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.27
° C / W
(TO-247)
0.21
° C / W
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ,脉冲测试
I
F
= 25A , -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V; V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
16
48
1.5
150
7
0.7
250
A
A
V
ns
A
μC
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFH 16N80P IXFT 16N80P
IXFV 16N80P IXFV 16N80PS
图。 7.输入导纳
20
18
24
16
T
J
= 125C
25C
- 40C
28
图。 8.跨导
12
10
8
6
4
g
F小号
- 西门子
14
20
T
J
= - 40C
25C
125C
I
D
- 安培
16
12
8
4
2
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
50
45
40
35
10
9
8
7
V
DS
= 400V
I
D
= 8A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
30
25
20
15
10
5
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
T
J
= 125C
T
J
= 25C
V
GS
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
F = 1 MHz的
1.00
图。 12.最大瞬态热
阻力
电容 - 皮法
国际空间站
R
(日) JC
- C / W
25
30
35
40
1,000
0.10
OSS
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
F_16N80P (67) 04-28-06.xls