【PolarHVTM功率MOSFETN沟道增强模式快恢复二极管额定雪崩IXFH 16N80PIXFT 】,IC型号IXFT16N80P,IXFT16N80P PDF资料,IXFT16N80P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PolarHV

功率MOSFET

N沟道增强模式

快恢复二极管

额定雪崩

IXFH 16N80P

IXFT 16N80P

IXFV 16N80P

IXFV 16N80PS

DSS

= 800

D25

= 16

DS （ ON）

≤

600 mΩ

≤

250纳秒

TO- 247 （ IXFH ）

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

dv / dt的

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 MΩ

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 5

= 25°C

最大额定值

800

±30

±40

1.0

V / ns的

TO- 268 （ IXFT ）

D（ TAB ）

PLUS220 （ IXFV ）

英镑

出售

重量

460

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D（ TAB ）

PLUS220SMD （ IXFV ... S）

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

塑料机身10秒

安装扭矩（ TO- 247 ）

安装力（ PLUS220 ）

TO-247

TO-268

PLUS220 & PLUS220SMD

300

260

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

11..65/2.5..15

6.0

5.0

4.0

N /磅

G =门

S =源

D（ TAB ）

D =漏

TAB =漏

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

μA

= V

, I

= 4毫安

±30

V, V

= 0 V

= V

DSS

= 0 V

= 125°C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

800

3.0

5.0

±100

250

600

μA

mΩ

特点

快恢复二极管

非钳位感应开关（ UIS）

评级

国际标准封装

低封装电感

- 易于驾驶和保护

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

μs,

占空比

≤

2 %

2006 IXYS所有权利

DS99599E(07/06)

IXFH 16N80P IXFT 16N80P

IXFV 16N80P IXFV 16N80PS

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

4600

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

330

= 10 V, V

= V

DSS ，

= 0.5 I

D25

= 5

（外部）

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

0.27

° C / W

(TO-247)

0.21

° C / W

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

= 20V;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复

= I

, V

= 0 V ，脉冲测试

= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的

= 100V; V

= 0 V

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1.5

150

0.7

250

μC

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT均受4835592

一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

IXFH 16N80P IXFT 16N80P

IXFV 16N80P IXFV 16N80PS

图。 1.输出特性

@ 25C

= 10V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25C

- 安培

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125C

= 10V

3.1

2.8

2.5

图。 4.

DS （ ON）

归到我

= 8A价值

- 结温

= 10V

DS （ ON）

- 归

- 安培

2.2

1.9

= 16A

1.6

1.3

0.7

0.4

= 8A

-50

-25

100

125

150

- 伏特

- 摄氏

图。 5 。

图。 7.输入上将ittance

价值

DS （ ON）

归到我

= 8A

与漏电流

= 10V

= 125C

2.6

2.4

2.2

-50

图。 6，最大漏极电流与

图。 8.跨导

外壳温度

= -40

125

DS （ ON）

- 归

F小号

- 西门子

- 安培

1.8

1.6

= 125

-40

= 25C

- 安培

1.4

1.2

0.8

4.5

5.5

16 18

6.5

7.5

-25

15 20

150

100

125

安培

- 伏特

- 摄氏

我 - 安培

2006 IXYS所有权利

IXFH 16N80P IXFT 16N80P

IXFV 16N80P IXFV 16N80PS

图。 7.输入导纳

= 125C

25C

- 40C

图。 8.跨导

F小号

- 西门子

= - 40C

25C

125C

- 安培

3.5

4.5

5.5

- 伏特

- 安培

图。 9.正向电压降

征二极管

= 400V

= 8A

= 10毫安

图。 10.栅极电荷

- 安培

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

= 125C

= 25C

- 伏特

- nanocoulombs

图。 11.电容

10,000

F = 1 MHz的

1.00

图。 12.最大瞬态热

阻力

电容 - 皮法

国际空间站

（日） JC

- C / W

1,000

0.10

OSS

100

CRSS

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

- 伏特

脉冲宽度 - 秒

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

F_16N80P （67） 04-28-06.xls

IXFH 26N60P IXFT 26N60P

IXFV 26N60P IXFV 26N60PS

AD TO- 247 （ IXFH ）大纲

TO- 268 （ IXFT ）大纲

PLUS220 （ IXFV ）大纲

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

PLUS220SMD （ IXFV_S ）大纲

2006 IXYS所有权利

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355

标准封装

一级授权代理IGBT模块可控硅模块二极管晶闸管熔断器保证全新原装正品

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IXYS/艾赛斯

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23000

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IXFT16N80P

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全新原装现货，原厂代理。

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