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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第45页 > IXFT16N80P
PolarHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
快恢复二极管
额定雪崩
IXFH 16N80P
IXFT 16N80P
IXFV 16N80P
IXFV 16N80PS
V
DSS
= 800
V
I
D25
= 16
A
Ω
R
DS ( ON)
600 mΩ
t
rr
250纳秒
TO- 247 ( IXFH )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
T
J
150℃ ,R
G
= 5
Ω
T
C
= 25°C
最大额定值
800
800
±30
±40
16
40
8
30
1.0
10
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
G
S
G
D
S
TO- 268 ( IXFT )
D( TAB )
PLUS220 ( IXFV )
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
460
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
°C
°C
°C
°
C
°
C
G
D
S
D( TAB )
PLUS220SMD ( IXFV ... S)
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
塑料机身10秒
安装扭矩( TO- 247 )
安装力( PLUS220 )
TO-247
TO-268
PLUS220 & PLUS220SMD
300
260
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
11..65/2.5..15
6.0
5.0
4.0
N /磅
g
g
g
G
S
G =门
S =源
D( TAB )
D =漏
TAB =漏
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
800
3.0
5.0
±100
25
250
600
V
V
nA
μA
μA
特点
快恢复二极管
非钳位感应开关( UIS)
评级
国际标准封装
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
μs,
占空比
2 %
2006 IXYS所有权利
DS99599E(07/06)
IXFH 16N80P IXFT 16N80P
IXFV 16N80P IXFV 16N80PS
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
9
16
4600
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
330
23
27
V
GS
= 10 V, V
DS
= V
DSS ,
I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 5
Ω
(外部)
32
75
29
71
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
21
23
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.27
° C / W
(TO-247)
0.21
° C / W
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ,脉冲测试
I
F
= 25A , -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V; V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
16
48
1.5
150
7
0.7
250
A
A
V
ns
A
μC
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFH 16N80P IXFT 16N80P
IXFV 16N80P IXFV 16N80PS
图。 1.输出特性
@ 25C
16
14
12
V
GS
= 10V
7V
24
22
20
18
V
GS
= 10V
7V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
10
8
6
4
6V
16
14
12
10
8
6
6V
5V
2
4
2
5V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
16
14
12
V
GS
= 10V
7V
6V
3.1
2.8
2.5
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 8A价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
2.2
1.9
I
D
= 16A
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I
D
= 8A
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
50
45
40
图。 5 。
图。 7.输入上将ittance
价值
R
DS ( ON)
归到我
D
= 8A
与漏电流
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
2.6
2.4
2.2
20
18
16
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-50
0
图。 6,最大漏极电流与
图。 8.跨导
外壳温度
T
J
= -40
C
25
C
125
C
R
DS ( ON)
- 归
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
35
30
25
20
2
14
12
10
1.8
1.6
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
T
J
= 25C
I
D
- 安培
8
6
4
2
0
1.4
15
1.2
10
5
1
0
0.8
0
4
2
4.5
4
6
5
8
10
5.5
12
6
14
16 18
6.5
20
7
22
7.5
24
5
-25
10
0
15 20
50
25
25
D
30
75
35
45
150
50
100
40
125
I
G
安培
V
D
-
S
- 伏特
T
C
- 摄氏
我 - 安培
2006 IXYS所有权利
IXFH 16N80P IXFT 16N80P
IXFV 16N80P IXFV 16N80PS
图。 7.输入导纳
20
18
24
16
T
J
= 125C
25C
- 40C
28
图。 8.跨导
12
10
8
6
4
g
F小号
- 西门子
14
20
T
J
= - 40C
25C
125C
I
D
- 安培
16
12
8
4
2
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
50
45
40
35
10
9
8
7
V
DS
= 400V
I
D
= 8A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
30
25
20
15
10
5
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
T
J
= 125C
T
J
= 25C
V
GS
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
F = 1 MHz的
1.00
图。 12.最大瞬态热
阻力
电容 - 皮法
国际空间站
R
(日) JC
- C / W
25
30
35
40
1,000
0.10
OSS
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
F_16N80P (67) 04-28-06.xls
IXFH 26N60P IXFT 26N60P
IXFV 26N60P IXFV 26N60PS
AD TO- 247 ( IXFH )大纲
TO- 268 ( IXFT )大纲
PLUS220 ( IXFV )大纲
1
2
3
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
PLUS220SMD ( IXFV_S )大纲
2006 IXYS所有权利
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFT16N80P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFT16N80P
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
IXFT16N80P
IXYS/艾赛斯
23+
59580
TO-268S
原装正品 华强现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IXFT16N80P
IXYS/艾赛斯
21+
15360
TO-220
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
IXFT16N80P
IXYS
2025+
26820
TO-268-3
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
IXFT16N80P
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8381
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
IXFT16N80P
Ixys
㊣10/11+
8148
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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电话:171-4729-9698(微信同号)
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IXFT16N80P
IXYS
24+
326
TO-268
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXFT16N80P
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
TO-268
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
IXFT16N80P
IXYS
22+
3500
TO-268
全新原装正品/质量有保证
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电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFT16N80P
IXYS
19+
8800
标准封装
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