IXFH 120N15P
IXFT 120N15P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。
典型值。
马克斯。
40
60
4900
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1300
330
33
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 4
（外部）
42
85
26
150
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
40
80
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.25 ° C / W
(TO-3P)
0.21
°
C / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。
典型值。
马克斯。
120
260
1.5
A
A
V
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268 （ IXFT ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V, V
GS
= 0 V
600
6
200纳秒
nC
Α
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXFH 120N15P
IXFT 120N15P
图。 1.输出特性
@ 25
C
120
V
GS
= 10V
9V
280
V
GS
= 10V
240
200
9V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
100
I
D
- 安培
I
D
- 安培
80
8V
160
120
80
8V
60
40
7V
6V
20
5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
7V
6V
9
10
V
S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150
C
120
V
GS
= 10V
9V
2.8
2.6
V
GS
= 10V
V
S
- 伏特
图。 4.
DS （上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结tem温度
100
R
S（O N）
- 归
8V
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I
D
= 60A
I
D
= 120A
I
D
- 安培
80
7V
60
6V
40
20
5V
0
0
1
V
S
- 伏特
2
3
4
5
-50
-25
0
T
J
- 摄氏
25
50
75
100
125
150
175
图。 5.
DS （ ON）
规范alized 0.5我
D25
值与漏电流
4
3.5
T
J
= 175
C
90
80
70
3
2.5
2
V
GS
= 15V
1.5
1
0.5
0
30
60
90
V
GS
= 10V
图。 6.漏电流与案例
tem温度
外部引线电流限制
R
S（O N）
- 归
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
T
J
= 25
C
120 150 180 210 240 270 300
10
0
I
D
- 安培
-50
-25
0
T
C
- 摄氏
25
50
75
100
125
150
175
2006 IXYS所有权利
IXFH 120N15P
IXFT 120N15P
F IG 。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱 ES是tance
1.00
R
T H， J·C
- C / W
0.10
0.01
0.1
1
10
100
1000
浦LS东西ID日 - 米illis权证 N D s
2006 IXYS所有权利
QQ：2880707522 复制
