IXFR32N100P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.15
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 16A
门输入电阻
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 16A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
13
21
14.2
815
60
1.50
50
55
76
43
225
85
94
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.39
° C / W
° C / W
ISOPLUS247 （ IXFR ）大纲
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 16A
R
G
= 1Ω （外部）
源极 - 漏极二极管
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 16A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
32
128
1.5
A
A
V
300纳秒
2.2
15
μC
A
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFR32N100P
图。 7.输入导纳
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
T
J
= 125C
25C
- 40C
40
35
30
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
T
J
= - 40C
25C
125C
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
100
90
80
70
16
14
12
V
DS
= 500V
I
D
= 16A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
T
J
= 125C
T
J
= 25C
V
GS
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
300
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
图。 12.最大瞬态热
阻抗
1.000
f
= 1兆赫
西塞
电容 - 皮法
10,000
科斯
1,000
Z
（日） JC
- C / W
25
30
35
40
0.100
100
CRSS
0.010
10
0
5
10
15
20
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_32N100P （ 96 ） 08年3月28日-C
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