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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第161页 > IXFR30N50Q
HiPerFET
TM
功率MOSFET
ISOPLUS247
TM
（电隔离背面）
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
初步数据
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
50/60赫兹， RMS
吨= 1分钟引出至标签
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
V
DSS
IXFR 30N50Q
IXFR 32N50Q
I
D25
R
DS （ ON）
0.16
W
0.15
W
500 V
29 A
500 V
30 A
t
rr
250纳秒
最大额定值
500
500
±20
±30
30N50
32N50
30N50
32N50
30N50
32N50
30
120
30
1.5
45
5
310
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
6
V
V
V
V
A
A
A
J
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
g
ISOPLUS 247
TM
E 153432
G
D
孤立的背面*
G =门
S =源
*专利申请中
D =漏
特点
对直接铜键合硅芯片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
低漏片电容（ <50pF ）
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
快速内在整流器
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
30N50
32N50
100
1
0.16
0.15
V
V
nA
mA
mA
W
W
优势
易于组装
节省空间
高功率密度
98608B (7/00)
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= I
T
注意事项1， 2
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFR 30N50Q
IXFR 32N50Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注2
18
28
3950
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
640
210
35
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1
W
（外部）
42
75
20
150
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
26
85
0.40
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.83
5.21
A
1
2.29
2.54
A
2
1.91
2.16
b
1.14
1.40
1.91
2.13
b
1
b
2
2.92
3.12
C
0.61
0.80
D 20.80 21.34
E
15.75 16.13
e
5.45 BSC
L
19.81 20.32
L1
3.81
4.32
Q
5.59
6.20
R
4.32
4.83
S
13.21 13.72
T
15.75 16.26
U
1.65
3.03
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
.520 .540
.620 .640
.065 .080
1门， 2漏极（集电极）
3信号源（发射极）
4无连接
ISOPLUS 247 （ IXFR ）概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= I
T
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
注： 1 。
I
T
测试条件：
IXFR30N50 ：我
T
= 15A
IXFR32N50 ：我
T
= 16A
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
32
128
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= I
s
,
-di / DT = 100 A / MS ，
V
R
= 100 V
0.75
7.5
注： 2 。
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFR 30N50Q
IXFR 32N50Q
图1.输出特性25
O
C
80
70
60
T
J
= 25
O
C
V
GS
=10V
9V
8V
7V
6V
图2.输出特性，在125
O
C
50
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 9V
8V
7V
6V
40
I
D
- 安培
50
40
30
20
10
0
I
D
- 安培
30
5V
20
10
4V
5V
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。R
DS （ ON）
标准化为15A / 25
O
与我
D
2.8
V
GS
= 10V
图4.
DS （ ON）
标准化为15A / 25
O
与T
J
2.8
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
TJ = 125℃
0
R
DS （ ON）
- 归
2.4
2.0
1.6
2.4
I
D
= 32A
2.0
1.6
1.2
0.8
25
I
D
= 16A
Tj=25
0
C
1.2
0.8
0
10
20
30
40
50
60
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图5.漏电流与外壳温度
40
32
图6.导纳曲线
50
40
I
D
- 安培
24
16
8
0
I
D
- 安培
30
20
10
0
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
2
3
4
5
6
T
C
- 摄氏度
V
GS
- 伏特
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
IXFR 30N50Q
IXFR 32N50Q
图7.栅极电荷
14
12
10
Vds=300V
=16A
I
D
=30A
I
G
=10mA
图8.电容曲线
10000
西塞
F = 1MHz的
电容 - pF的
V
GS
- 伏特
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
科斯
1000
CRSS
100
0
5
10
15
20
25
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
图中的9正向电压降
征二极管
100
V
GS
= 0V
80
I
D
- 安培
60
40
20
T
J
=25
O
C
T
J
=125
O
C
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 伏特
图10.瞬态热阻
0.60
0.40
0.20
R（日）
JC
- K / W
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.01
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度 - 秒
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
HiPerFET
TM
功率MOSFET
ISOPLUS247
TM
（电隔离背面）
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
初步数据
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
50/60赫兹， RMS
吨= 1分钟引出至标签
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
V
DSS
IXFR 30N50Q
IXFR 32N50Q
I
D25
R
DS （ ON）
0.16
W
0.15
W
500 V
29 A
500 V
30 A
t
rr
250纳秒
最大额定值
500
500
±20
±30
30N50
32N50
30N50
32N50
30N50
32N50
30
120
30
1.5
45
5
310
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
6
V
V
V
V
A
A
A
J
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
g
ISOPLUS 247
TM
E 153432
G
D
孤立的背面*
G =门
S =源
*专利申请中
D =漏
特点
对直接铜键合硅芯片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
低漏片电容（ <50pF ）
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
快速内在整流器
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
30N50
32N50
100
1
0.16
0.15
V
V
nA
mA
mA
W
W
优势
易于组装
节省空间
高功率密度
98608B (7/00)
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= I
T
注意事项1， 2
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFR 30N50Q
IXFR 32N50Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注2
18
28
3950
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
640
210
35
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1
W
（外部）
42
75
20
150
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
26
85
0.40
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.83
5.21
A
1
2.29
2.54
A
2
1.91
2.16
b
1.14
1.40
1.91
2.13
b
1
b
2
2.92
3.12
C
0.61
0.80
D 20.80 21.34
E
15.75 16.13
e
5.45 BSC
L
19.81 20.32
L1
3.81
4.32
Q
5.59
6.20
R
4.32
4.83
S
13.21 13.72
T
15.75 16.26
U
1.65
3.03
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
.520 .540
.620 .640
.065 .080
1门， 2漏极（集电极）
3信号源（发射极）
4无连接
ISOPLUS 247 （ IXFR ）概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= I
T
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
注： 1 。
I
T
测试条件：
IXFR30N50 ：我
T
= 15A
IXFR32N50 ：我
T
= 16A
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
32
128
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= I
s
,
-di / DT = 100 A / MS ，
V
R
= 100 V
0.75
7.5
注： 2 。
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFR 30N50Q
IXFR 32N50Q
图1.输出特性25
O
C
80
70
60
T
J
= 25
O
C
V
GS
=10V
9V
8V
7V
6V
图2.输出特性，在125
O
C
50
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 9V
8V
7V
6V
40
I
D
- 安培
50
40
30
20
10
0
I
D
- 安培
30
5V
20
10
4V
5V
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。R
DS （ ON）
标准化为15A / 25
O
与我
D
2.8
V
GS
= 10V
图4.
DS （ ON）
标准化为15A / 25
O
与T
J
2.8
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
TJ = 125℃
0
R
DS （ ON）
- 归
2.4
2.0
1.6
2.4
I
D
= 32A
2.0
1.6
1.2
0.8
25
I
D
= 16A
Tj=25
0
C
1.2
0.8
0
10
20
30
40
50
60
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图5.漏电流与外壳温度
40
32
图6.导纳曲线
50
40
I
D
- 安培
24
16
8
0
I
D
- 安培
30
20
10
0
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
2
3
4
5
6
T
C
- 摄氏度
V
GS
- 伏特
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3-4
IXFR 30N50Q
IXFR 32N50Q
图7.栅极电荷
14
12
10
Vds=300V
=16A
I
D
=30A
I
G
=10mA
图8.电容曲线
10000
西塞
F = 1MHz的
电容 - pF的
V
GS
- 伏特
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
科斯
1000
CRSS
100
0
5
10
15
20
25
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
图中的9正向电压降
征二极管
100
V
GS
= 0V
80
I
D
- 安培
60
40
20
T
J
=25
O
C
T
J
=125
O
C
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 伏特
图10.瞬态热阻
0.60
0.40
0.20
R（日）
JC
- K / W
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.01
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度 - 秒
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4-4
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