IXFR 15N80Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注2
8
16
4300
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
360
60
18
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 7.5A
R
G
= 1
W
（外部）
27
53
16
90
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 7.5A
20
30
0.50
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.83
5.21
A
1
2.29
2.54
A
2
1.91
2.16
b
1.14
1.40
1.91
2.13
b
1
b
2
2.92
3.12
C
0.61
0.80
D 20.80 21.34
E
15.75 16.13
e
5.45 BSC
L
19.81 20.32
L1
3.81
4.32
Q
5.59
6.20
R
4.32
4.83
S
13.21 13.72
T
15.75 16.26
U
1.65
3.03
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
.520 .540
.620 .640
.065 .080
1门， 2漏极（集电极）
3信号源（发射极）
4无连接
ISOPLUS 247 （ IXFR ）概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 7.5A
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复，注意事项1
I
F
= I
s
， 100A ，V
GS
= 0 V ，注2
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
15
60
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
I
F
= I
s
， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
0.8
7.5
注：1，脉冲宽度限制T
JM
2.脉冲检验，t
300
女士，
占空比
2 %
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
IXFR 15N80Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注2
8
16
4300
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
360
60
18
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 7.5A
R
G
= 1
W
（外部）
27
53
16
90
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 7.5A
20
30
0.50
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.83
5.21
A
1
2.29
2.54
A
2
1.91
2.16
b
1.14
1.40
1.91
2.13
b
1
b
2
2.92
3.12
C
0.61
0.80
D 20.80 21.34
E
15.75 16.13
e
5.45 BSC
L
19.81 20.32
L1
3.81
4.32
Q
5.59
6.20
R
4.32
4.83
S
13.21 13.72
T
15.75 16.26
U
1.65
3.03
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
.520 .540
.620 .640
.065 .080
1门， 2漏极（集电极）
3信号源（发射极）
4无连接
ISOPLUS 247 （ IXFR ）概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 7.5A
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复，注意事项1
I
F
= I
s
， 100A ，V
GS
= 0 V ，注2
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
15
60
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
I
F
= I
s
， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
0.8
7.5
注：1，脉冲宽度限制T
JM
2.脉冲检验，t
300
女士，
占空比
2 %
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
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