IXFA 3N120
IXFP 3N120
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.5
2.5
1050
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
100
25
17
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 4.7
（外部）
15
32
18
39
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
9
22
0.62
(TO-220)
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
销： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
底侧
TO- 220 （ IXFP ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
3
12
1.5
300
A
A
V
ns
C
A
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
底侧
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
TO- 263 （ IXFA ）大纲
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
0.4
1.2
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。
马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
QQ：2881677436 复制
