IXFA14N60P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
(TO-220)
(TO-247)
0.50
0.21
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 10Ω
（外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
7
13
2500
215
13
23
27
70
26
36
16
12
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42
° C / W
° C / W
° C / W
引脚：
1 - GATE
IXFP14N60P
IXFH14N60P
TO- 220 （ IXFP ）大纲
2 - 漏极
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 14A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
6.0
0.6
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
14
42
1.5
200
A
A
V
ns
A
nC
P
TO- 247 （ IXFH ）大纲
1
2
3
注1 ：
脉冲测试，T
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
TO- 263 （ IXFA ）大纲
端子： 1 - 2号门 - 漏
3 - 来源
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
由一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFA14N60P
图。 1.输出特性
@ 25C
14
12
10
V
GS
= 10V
9V
30
27
24
21
8V
8
6
4
7V
2
3
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0
3
6
9
12
15
18
7V
V
GS
= 10V
9V
IXFP14N60P
IXFH14N60P
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
18
15
12
9
6
8V
21
24
27
30
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
14
12
10
V
GS
= 10V
8V
3.2
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= 7A价值
- 结温
V
GS
= 10V
2.8
R
DS （ ON）
- 归
2.4
I
D
= 14A
2.0
I
D
= 7A
1.6
1.2
0.8
I
D
- 安培
8
6
4
2
7V
6V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= 7A价值
与漏电流
3.4
V
GS
= 10V
3.0
T
J
= 125C
12
2.6
16
14
图。 6，最大漏极电流与
外壳温度
R
DS （ ON）
- 归
I
D
- 安培
T
J
= 25C
10
8
6
4
2
0
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2008 IXYS公司，保留所有权利。
IXYS REF ： F_14N60P （ 5J ） 08年12月22日-G
IXFA14N60P
IXFP14N60P
IXFH14N60P
图。 13.最大瞬态热阻抗
1.00
Z
（日） JC
- C / W
0.10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2008 IXYS公司，保留所有权利。
IXYS REF ： F_14N60P （ 5J ） 08年12月22日-G
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