PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFN 64N60P
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
t
rr
=
=
≤
≤
600
V
50
A
96 m
200纳秒
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
，的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
± 30
± 40
50
150
64
80
3.5
20
700
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
任一源极端S能够被用作
源端或开尔文源（门
返回）端子。
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
50/60赫兹， RMS 1分钟
安装力矩
终端扭矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
30
g
特点
国际标准套餐
环氧树脂封装符合
UL 94 V - 0阻燃等级
miniBLOC与氮化铝
隔离
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
快速内在整流器
应用
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
低电压继电器
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
600
3.0
5.0
±200
25
1000
96
V
V
nA
A
A
m
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注意1
2006 IXYS所有权利
DS99443E(01/06)
IXFN 64N60P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
40
63
12
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1150
80
28
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
23
79
24
200
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
70
68
0.18
0.05
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
miniBLOC ， SOT- 227 B
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
注意1
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
注意事项：
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
64
150
1.5
200
0.6
6.0
A
A
V
ns
C
A
P
Q
R
S
T
U
1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
QQ：2880707522 复制
