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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第720页 > IXFN50N50
HiPerFET
TM
功率MOSFET
单芯片MOSFET
初步数据表
符号
测试条件
V
DSS
I
D25
55A
50A
55A
50A
R
DS ( ON)
80m
100m
80m
100m
t
rr
250ns
250ns
250ns
250ns
IXFN
IXFN
IXFK
IXFK
55N50
50N50
55N50
50N50
500V
500V
500V
500V
IXFK
55N50
500
500
±20
±30
55
220
55
60
5
560
最大额定值
IXFK
IXFN
50N50
55N50
500
500
±20
±30
50
200
50
55
220
55
60
5
600
-55 ... +150
150
-55 ... +150
TO- 264 AA ( IXFK )
IXFN
50N50
V
V
V
V
50 A
200 A
50 A
mJ
V / ns的
D
S
G
D
S
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
=25°C,
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
T
J
150℃ ,R
G
= 2
T
C
= 25°C
D( TAB )
miniBLOC , SOT- 227 B( IXFN )
E153432
S
G
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
从案例10秒1.6毫米(以0.063 )
50/60赫兹, RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
300
不适用
不适用
0.9/6
不适用
10
不适用
2500
3000
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20V;
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
注1
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
2.5
4.5
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
55N50
50N50
25
2
80
100
V
V
nA
A
mA
m
m
特点
国际标准封装
环氧树脂封装符合
UL 94 V - 0阻燃等级
miniBLOC与氮化铝
隔离
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
快速内在整流器
应用
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
版权所有2002 IXYS所有权利。
97502F (04/02)
IXFK50N50
IXFN50N50
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
R
thJC
R
thCK
TO- 264 AA
TO- 264 AA
miniBLOC , SOT- 227 B
miniBLOC , SOT- 227 B
0.05
0.15
0.21
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(外部)
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
注1
特征值
分钟。典型值。马克斯。
45
9400
1280
460
45
60
120
45
330
55
155
0.22
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
K / W
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
DIM 。
IXFK55N50
IXFN55N50
TO- 264 AA大纲
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91
26.16
19.81
19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32
20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
分钟。
英寸
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
源极 - 漏极二极管
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
测试条件
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= 25 A, -di / DT = 100 A / μs的,V
R
= 100 V
V
GS
= 0
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 100 A,V
GS
= 0 V
55N50
50N50
55N50
50N50
注1
特征值
分钟。典型值。马克斯。
55
50
220
200
1.5
250
1.0
10
A
A
A
A
V
ns
C
A
miniBLOC , SOT- 227 B
供应M4螺丝(4次)
DIM 。
A
B
C
D
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
英寸
分钟。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
马克斯。
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
注:1 。
脉冲测试,T
300
s,
占空比
2 %
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXFK50N50
IXFN50N50
图1.输出特性25
O
C
T
J
= 25
O
C
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
6V
IXFK55N50
IXFN55N50
图2.输出特性,在125
O
C
100
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
6V
140
120
80
I
D
- 安培
I
D
- 安培
100
80
60
40
20
0
60
5V
40
20
0
5V
0
4
8
12
16
20
24
0
4
8
12
16
20
24
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
网络连接gure 3 。
2.8
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
标准化为0.5
I
D25
价值与我
D
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
图4.
DS ( ON)
标准化为0.5
I
D25
值与T
J
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
- 归
2.0
1.6
T
J
= 125
O
C
R
DS ( ON)
- 归
2.4
I
D
= 55A
T
J
= 25
O
C
1.2
0.8
I
D
= 27.5A
1.2
1.0
25
0
20
40
60
80
100
120
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
60
50
图5.漏电流与外壳温度
100
IXF_55N50
图6.导纳曲线
80
I
D
- 安培
IXF_50N50
I
D
- 安培
40
30
20
10
0
T
J
= 125
o
C
60
40
20
0
3.0
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
T
C
- 摄氏度
版权所有2002 IXYS所有权利。
V
GS
- 伏特
IXFK50N50
IXFN50N50
图7.栅极电荷
12
10
V
DS
= 250V
I
D
= 27.5A
IXFK55N50
IXFN55N50
图8.电容曲线
10000
西塞
F = 1MHz的
电容 - pF的
V
GS
- 伏特
8
6
4
2
0
科斯
1000
CRSS
0
50
100
150
200
250
300
350
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
图9 。
100
80
的正向电压降
征二极管
I
D
- 安培
60
40
T
J
= 125
O
C
20
T
J
= 25
O
C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
- 伏特
图10.瞬态热阻
1.00
R(日)
JC
- K / W
0.10
0.01
0.00
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFN50N50
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXFN50N50
IXYS
24+
1000
MODULE
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3463035523 复制

电话:0512-57718939
联系人:19951158678
地址:昆山开发区朝阳东路109号亿丰机电城北D202
IXFN50N50
艾赛斯
21+
1000
原装
110¥/片,原装现货提供
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1229871090 复制
电话:400-15695632345
联系人:薛女士
地址:宣州区麒麟大道11号-102
IXFN50N50
IXYS/艾赛斯
24+
1045
MODULE
全新原装现货原盒原标实拍 型号齐全欢迎询价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1989029555 复制
电话:13381567868
联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
IXFN50N50
艾赛斯IXYS
21+
9999
Tray
全新原装,原厂渠道现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IXFN50N50
IXYS/艾赛斯
2024
1250
MOUDLE
上海原装现货,专营模块
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:83415655 复制

电话:13311626995
联系人:易
地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
IXFN50N50
艾赛斯IXYS
22+
8000
Tray
全新原装,原厂渠道现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFN50N50
IXYS
19+
8700
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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电话:021-51097965
联系人:杨全兴
地址:松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19
IXFN50N50
艾塞斯
18+
500
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原装现货/品质有保证/诚信经营/可开13%增值票!
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地址:昆山开发区朝阳东路109号亿丰机电城北D202
IXFN50N50
艾赛斯
21+
1000
原装
110¥/片,
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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXFN50N50
IXYS
24+
1000
MODULE
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