IXFN44N50U2
IXFN44N50U3
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
400
2
0.12
0.10
V
V
nA
mA
mA
W
W
IXFN48N50U2
IXFN48N50U3
miniBLOC ， SOT- 227 B
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
44N50
48N50
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
d
2 %
测试条件
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
符号
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
22
42
8400
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
900
280
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
60
100
30
270
25.07 0.968
0.1 -0.002
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
60
135
0.24
0.05
超快速二极管
符号
I
R
测试条件
T
J
= 25°C ; V
R
= V
RRM
V
R
= 0.8V
RRM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
200
100
14
1.5
T
J
= 25°C
35
19
1.8
50
21
mA
mA
mA
V
V
ns
A
T
J
= 125°C ; V
R
= 0.8V
RRM
V
F
I
F
= 70A ，V
GS
= 0 V ，T
J
= 150°C
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
d
2 %
t
rr
I
RM
R
thJC
R
thJK
I
I
= 1A ，的di / dt = -200 A / MS ，V
R
= 30 V ，T
J
= 25°C
I
F
= 60A ，的di / dt = -480 A / MS ，V
R
= 350 V，T
J
= 100°C
0.05
0.7 K / W
K / W
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-5
IXFN44N50U2
IXFN44N50U3
图1输出特性
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
5V
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
7V
IXFN48N50U2
IXFN48N50U3
图2输入导纳
100
6V
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
J
= 25°C
I
D
- 安培
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
- 安培
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图3
DS （ ON）
与漏电流
1.6
T
J
= 25°C
图4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
1.5
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
V
GS
= 15V
V
GS
= 10V
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
= 24A
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图5漏电流 -
外壳温度
60
50
48N50
图6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
1.1
V
GS （ TH）
BV
DSS
BV / V
G（ TH ）
- 归
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
40
30
20
10
0
-50
44N50
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-25
0
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-5
IXFN44N50U2
IXFN44N50U3
图7栅极电荷特性曲线
10
9
V
DS
= 250V
I
D
= 24A
IXFN48N50U2
IXFN48N50U3
图8电容曲线
10000
9000
8000
C
国际空间站
电容 - pF的
8
I = 10毫安
G
7
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
C
OSS
C
RSS
F = 1 MHz的
V
DS
= 25V
V
GE
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
50
100 150 200 250 300 350 400
0
5
10
15
20
25
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
图9源电流和源
漏极电压
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.00
T
J
= 125°C
I
D
- 安培
T
J
= 25°C
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V
SD
- 伏
图10瞬态热阻抗
热响应 - K / W
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
时间 - SECONDS
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-5
QQ：2880707522 复制
