IXFN38N100P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.05
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1Ω (外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 20V ,我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
18
29
24
1245
80
0.78
74
55
71
40
350
150
150
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.125
° C / W
° C / W
SOT- 227B外形
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 25A , -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V
2.5
17
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
38
150
1.5
300
A
A
V
ns
μC
A
注1.脉冲检验,t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFN38N100P
图。 1.输出特性
@ 25C
40
35
30
70
V
GS
= 15V
11V
10V
100
90
80
V
GS
= 15V
11V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
25
20
15
10
5
7V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
8V
9V
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
10V
9V
8V
20
25
30
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
40
35
30
9V
V
GS
= 15V
10V
3.0
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 19A与价值
结温
V
GS
= 10V
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
I
D
= 38A
I
D
= 19A
25
20
8V
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
7V
6V
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS ( ON)
归到我
D
= 19A价值与排水
当前
2.6
2.4
2.2
V
GS
= 10V
15V
- - - -
40
35
30
T
J
= 125C
图。 6,最大漏极电流与
外壳温度
R
DS ( ON)
- 归
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
10
I
D
- 安培
T
J
= 25C
25
20
15
10
5
0
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2009 IXYS公司,版权所有
IXYS REF : F_38N100P ( 99 ) 09年7月14日-D
IXFN38N100P
图。 13.最大瞬态热阻抗
1.000
0.100
Z
(日) JC
- C / W
0.010
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
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IXYS REF : F_38N100P ( 99 ) 09年7月14日-D