添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第681页 > IXFN38N100P
POLAR
TM
功率MOSFET
HiPerFET
TM
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFN38N100P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
t
rr
=
=
1000V
38A
210mΩ
Ω
300ns
miniBLOC , SOT- 227 B
E153432
S
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±
30
±
40
38
120
19
2
20
1000
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
V~
V~
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
特点
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
任一源极端S能够被用作
源端或开尔文源(门
返回)端子。
最大无铅焊接温度的
从案例10 1.6毫米( 0.062英寸)
50/60Hz
I
ISOL
1mA
T = 1分
T = 1秒
300
260
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
安装力矩
终端连接力矩( M4)的
国际标准套餐
环氧树脂封装符合
UL 94 V - 0阻燃等级
miniBLOC与氮化铝
隔离
快恢复二极管
额定雪崩
低封装电感
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±
30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
1000
3.5
6.5
±
300
V
V
nA
应用
开关模式和谐振模
电源
DC- DC转换器
激光驱动器
AC和DC马达驱动器
机器人和伺服控制
50
μA
4毫安
210 mΩ
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2009 IXYS公司,版权所有
DS99866B(7/09)
IXFN38N100P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.05
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1Ω (外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 20V ,我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
18
29
24
1245
80
0.78
74
55
71
40
350
150
150
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.125
° C / W
° C / W
SOT- 227B外形
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 25A , -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V
2.5
17
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
38
150
1.5
300
A
A
V
ns
μC
A
注1.脉冲检验,t
300μS ;占空比D
2%.
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFN38N100P
图。 1.输出特性
@ 25C
40
35
30
70
V
GS
= 15V
11V
10V
100
90
80
V
GS
= 15V
11V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
25
20
15
10
5
7V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
8V
9V
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
10V
9V
8V
20
25
30
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
40
35
30
9V
V
GS
= 15V
10V
3.0
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 19A与价值
结温
V
GS
= 10V
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
I
D
= 38A
I
D
= 19A
25
20
8V
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
7V
6V
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS ( ON)
归到我
D
= 19A价值与排水
当前
2.6
2.4
2.2
V
GS
= 10V
15V
- - - -
40
35
30
T
J
= 125C
图。 6,最大漏极电流与
外壳温度
R
DS ( ON)
- 归
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
10
I
D
- 安培
T
J
= 25C
25
20
15
10
5
0
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2009 IXYS公司,版权所有
IXYS REF : F_38N100P ( 99 ) 09年7月14日-D
IXFN38N100P
图。 7.输入导纳
60
65
60
50
55
50
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
I
D
- 安培
g
F小号
- 西门子
40
T
J
= 125C
25C
- 40C
45
40
35
30
25
20
15
125C
25C
30
20
10
10
5
0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
110
100
90
80
12
10
8
6
4
2
10
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
0
50
100
150
16
14
V
DS
= 500V
I
D
= 19A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
60
50
40
30
20
T
J
= 125C
T
J
= 25C
V
GS
- 伏特
70
200
250
300
350
400
450
500
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1,000.0
图。 12.正向偏置安全工作区
R
DS ( ON)
极限
1ms
10ms
100ms
DC
100s
25s
电容 - 皮法
10,000
西塞
100.0
1,000
科斯
I
D
- 安培
10.0
100
CRSS
1.0
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
f
= 1兆赫
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
10
100
1,000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXFN38N100P
图。 13.最大瞬态热阻抗
1.000
0.100
Z
(日) JC
- C / W
0.010
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2009 IXYS公司,版权所有
IXYS REF : F_38N100P ( 99 ) 09年7月14日-D
查看更多IXFN38N100PPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFN38N100P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1989029555 复制
电话:13381567868
联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
IXFN38N100P
艾赛斯IXYS
21+
9999
Tray
全新原装,原厂渠道现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3463035523 复制

电话:0512-57718939
联系人:19951158678
地址:昆山开发区朝阳东路109号亿丰机电城北D202
IXFN38N100P
艾赛斯
21+
1000
原装
145¥/片,原装现货提供
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1943137555 复制 点击这里给我发消息 QQ:23610956 复制

电话:17876146278/15814081976
联系人:梁小姐
地址:华强广场B座7楼001室
IXFN38N100P
IXYS/艾赛斯
22+
10000
N/A
原装正品 现货库存 价钱优势 联系电话:15814081976(同微信)梁小姐
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:83415655 复制

电话:13311626995
联系人:易
地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
IXFN38N100P
艾赛斯IXYS
22+
8000
Tray
全新原装,原厂渠道现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1229871090 复制
电话:400-15695632345
联系人:薛女士
地址:宣州区麒麟大道11号-102
IXFN38N100P
IXYS/艾赛斯
24+
1015
MODULE
全新原装现货原盒原标实拍 型号齐全欢迎询价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:823639999 复制

电话:021-51097965
联系人:杨全兴
地址:松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19
IXFN38N100P
艾塞斯
18+
500
全新原装
原装现货/品质有保证/诚信经营/可开13%增值票!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFN38N100P
IXYS
19+
8700
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXFN38N100P
IXYS
24+
1000
MODULE
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3463035523 复制

电话:0512-57718939
联系人:19951158678
地址:昆山开发区朝阳东路109号亿丰机电城北D202
IXFN38N100P
艾赛斯
21+
1000
原装
145¥/片,
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXFN38N100P
IXYS
24+
1000
原装
原装现货提供
查询更多IXFN38N100P供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!