IXFN 34N80
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
20
35
7500
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
920
220
45
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
45
100
40
270
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
60
140
0.22
0.15
0.21
0.05
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
K / W
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
miniBLOC ， SOT- 227 B
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
25.07 0.968
0.1 -0.002
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
34
136
A
A
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
1.5
250
400
1.4
10
V
ns
ns
mC
A
Q
RM
I
RM
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFN 34N80
12
10
V
DS
= 400V
I
D
= 17A
I
G
= 10毫安
10000
C
国际空间站
电容 - pF的
V
GS
- 伏特
8
6
4
2
0
F = 1MHz的
C
OSS
1000
C
RSS
0
50
100 150 200 250 300 350 400
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
图7.栅极电荷
80
100
60
图8.电容曲线
I
D
- 安培
0.
I
D
- 安培
10
1
T = 25
O
C
T
JJ
= 25
O
C
10
40
T
J
= 125
O
C
20
T
J
= 25
O
C
1
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
10
1 00
1 000
V
SD
- 伏特
V
DS
- 伏特
本征二极管图8.正向电压降
1.000
R（日）
JC
- K / W
0.100
0.010
单脉冲
0.001
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
脉冲宽度 - 秒
图9.瞬态热阻
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
IXFN 34N80
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
20
35
7500
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
920
220
45
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
45
100
40
270
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
60
140
0.22
0.15
0.21
0.05
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
K / W
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
miniBLOC ， SOT- 227 B
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
25.07 0.968
0.1 -0.002
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
34
136
A
A
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
1.5
250
400
1.4
10
V
ns
ns
mC
A
Q
RM
I
RM
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFN 34N80
12
10
V
DS
= 400V
I
D
= 17A
I
G
= 10毫安
10000
C
国际空间站
电容 - pF的
V
GS
- 伏特
8
6
4
2
0
F = 1MHz的
C
OSS
1000
C
RSS
0
50
100 150 200 250 300 350 400
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
图7.栅极电荷
80
100
60
图8.电容曲线
I
D
- 安培
0.
I
D
- 安培
10
1
T = 25
O
C
T
JJ
= 25
O
C
10
40
T
J
= 125
O
C
20
T
J
= 25
O
C
1
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
10
1 00
1 000
V
SD
- 伏特
V
DS
- 伏特
本征二极管图8.正向电压降
1.000
R（日）
JC
- K / W
0.100
0.010
单脉冲
0.001
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
脉冲宽度 - 秒
图9.瞬态热阻
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
QQ：2880707522 复制
