先进的技术信息
HiPerFET
TM
功率MOSFET
单芯片MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低吨
rr
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
L（ rms）的
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25 ℃，芯片能力
终端电流限制
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
IXFN 340N06
V
DSS
=
60 V
I
D25
= 340 A
3
mW
R
DS （ ON）
=
t
rr
250纳秒
D
G
S
S
最大额定值
60
60
±20
±30
340
100
1360
200
64
4
5
700
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°
C
°
C
°
C
V~
V~
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
特点
国际标准封装
miniBLOC ，用氮化铝
隔离
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
快速内在整流器
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
60
2.0
4.0
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
2
3
V
V
nA
m
A
mA
mW
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
V
DSS
V
GH （日）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 100A
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
98751 (10/00)
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXFN 340N06
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
80
105
16800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
8200
5000
140
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 100A
R
G
= 2
W
（外部）
95
200
33
600
V
GS
= 10 V, V
DS
= 50V ，我
D
= 100A
110
300
0.18
0.05
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
英寸
分钟。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
马克斯。
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
miniBLOC ， SOT- 227 B
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60A ，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
340
1360
1.2
250
A
A
V
ns
mC
A
I
F
= 100A ，V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= 50A ， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 40V ;牛逼
J
=25°C
1.4
8
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
先进的技术信息
HiPerFET
TM
功率MOSFET
单芯片MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低吨
rr
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
L（ rms）的
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25 ℃，芯片能力
终端电流限制
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
IXFN 340N06
V
DSS
=
60 V
I
D25
= 340 A
3
mW
R
DS （ ON）
=
t
rr
250纳秒
D
G
S
S
最大额定值
60
60
±20
±30
340
100
1360
200
64
4
5
700
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°
C
°
C
°
C
V~
V~
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
特点
国际标准封装
miniBLOC ，用氮化铝
隔离
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
快速内在整流器
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
60
2.0
4.0
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
2
3
V
V
nA
m
A
mA
mW
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
V
DSS
V
GH （日）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 100A
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
98751 (10/00)
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXFN 340N06
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
80
105
16800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
8200
5000
140
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 100A
R
G
= 2
W
（外部）
95
200
33
600
V
GS
= 10 V, V
DS
= 50V ，我
D
= 100A
110
300
0.18
0.05
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
英寸
分钟。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
马克斯。
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
miniBLOC ， SOT- 227 B
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60A ，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
340
1360
1.2
250
A
A
V
ns
mC
A
I
F
= 100A ，V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= 50A ， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 40V ;牛逼
J
=25°C
1.4
8
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
QQ：2880707522 复制
