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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第430页 > IXFN260N17T
高级技术信息
GigaMOS
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFN260N17T
R
DS ( ON)
t
rr
V
DSS
I
D25
=
=
170V
245A
6.5mΩ
Ω
200ns
miniBLOC , SOT- 227
E153432
S
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
L( rms)的
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
170
170
±20
±30
245
200
700
100
3
20
1090
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V
V
V
V
A
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
V~
V~
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
无论源终端S能用作
源终端或开尔文源
(回门)码头。
特点
国际标准套餐
miniBLOC ,用氮化铝
隔离
隔离电压2500
V~
高电流处理能力
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS ( ON)
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料机身10秒
50/60赫兹, RMS
I
ISOL
1mA
T = 1分钟
吨= 1秒
300
260
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
安装力矩
终端连接扭矩
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
V
GS
= 10V ,我
D
= 60A ,注1
T
J
= 150°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
170
2.5
5.0
±200
V
V
nA
50
μA
5毫安
6.5 mΩ
同步Recification
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
DS100137(03/09)
2009 IXYS公司,版权所有
IXFN260N17T
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.05
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 130A
电阻开关时间
V
GS
= 15V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 100A
R
G
= 1Ω (外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 10V ,我
D
= 60A ,注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
105
170
24
2870
450
54
40
90
40
400
108
116
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.138
° C / W
° C / W
( M4螺钉( 4X )提供)
SOT- 227B ( IXFN )大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 60A ,V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 130A ,V
GS
= 0V
-di / DT = 100A / μs的
V
R
= 75V
0.56
9.00
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
260
1040
1.3
A
A
V
200纳秒
μC
A
注1 :脉冲检验,t
300μS ;占空比D
2%.
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价,基于先前的知识和经验,并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利,测试
条件和尺寸,恕不另行通知。
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFN260N17T
图。 1.输出特性
@ 25C
260
240
220
200
180
250
6V
7V
V
GS
= 10V
8V
7V
350
300
V
GS
= 10V
8V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
D
- 安培
200
150
100
6V
5V
50
0
5V
1.2
1.4
1.6
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150C
260
240
220
200
180
6V
V
GS
= 10V
8V
7V
3.0
2.8
2.6
2.4
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 130A的价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
- 归
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I
D
= 260A
I
D
= 130A
I
D
- 安培
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS ( ON)
归到我
D
= 130A的价值
与漏电流
3.4
V
GS
= 10V
3.0
图。 6,最大漏极电流与
外壳温度
220
200
外部引线电流限制
180
160
R
DS ( ON)
- 归
2.6
2.2
1.8
1.4
T
J
= 175C
I
D
- 安培
T
J
= 25C
140
120
100
80
60
40
20
1.0
0.6
0
50
100
150
200
250
300
350
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏
2009 IXYS公司,版权所有
IXFN260N17T
图。 7.输入导纳
200
180
160
140
T
J
= 150C
25C
- 40C
300
275
250
225
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
120
100
80
60
40
20
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
20
40
60
80
100
120
25C
125C
140
160
180
200
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
350
300
8
250
7
10
9
V
DS
= 85V
I
D
= 130A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 150C
T
J
= 25C
200
150
100
50
6
5
4
3
2
1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1,000
图。 12.正向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
西塞
R
DS ( ON)
极限
25s
10,000
科斯
电容 - 皮法
I
D
- 安培
100
100s
1,000
T
J
= 175C
CRSS
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
1
10
100
1000
T
C
= 25C
单脉冲
1ms
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF : F_260N17T ( 9E ) 09年3月26日
IXFN260N17T
图。 13.最大瞬态热阻抗
1.000
Z
(日) JC
- C / W
0.100
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2009 IXYS公司,版权所有
IXYS REF : F_260N17T ( 9E ) 09年3月26日
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFN260N17T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXFN260N17T
IXYS
24+
1000
MODULE
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IXFN260N17T
IXYS/艾赛斯
2024
390
MOUDLE
上海原装现货,专营模块
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFN260N17T
IXYS
19+
8700
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:823639999 复制

电话:021-51097965
联系人:杨全兴
地址:松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19
IXFN260N17T
艾塞斯
18+
500
全新原装
原装现货/品质有保证/诚信经营/可开13%增值票!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXFN260N17T
IXYS
24+
1000
MODULE
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXFN260N17T
IXYS
24+
10000
SOT-227B
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IXFN260N17T
IXYS
24+
19000
SOT-227B
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
IXFN260N17T
IXYS
22+
3377
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
IXFN260N17T
IXYS
24+
2177
MODULE
公司大量 现货随时可以发货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ:3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
IXFN260N17T
IXYS
24+
2173
公司大量全新正品 随时可以发货
查询更多IXFN260N17T供应信息

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