添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第19页 > IXFN230N20T
高级技术信息
GigaMOS
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFN230N20T
R
DS ( ON)
t
rr
V
DSS
I
D25
=
=
200V
230A
7.5m
200ns
miniBLOC , SOT- 227
E153432
S
G
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
L( rms)的
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C,R
GS
= 1M
连续
短暂
T
C
= 25°C
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
175°C
T
C
= 25°C
最大额定值
200
200
±20
±30
220
200
630
100
3
20
1090
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V
V
V
V
A
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
V~
V~
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
S
D
G =门
S =源
D =漏
无论源终端S能用作
源终端或开尔文源
(回门)码头。
特点
国际标准套餐
miniBLOC ,用氮化铝
隔离
隔离电压2500
V~
高电流处理能力
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS ( ON)
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料机身10秒
50/60赫兹, RMS
I
ISOL
1mA
T = 1分钟
吨= 1秒
300
260
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
安装力矩
终端连接扭矩
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
V
GS
= 10V ,我
D
= 60A ,注1
T
J
= 150°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
200
2.5
5.0
±200
V
V
nA
50
A
3毫安
7.5 m
同步Recification
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
DS100134(03/09)
2009 IXYS公司,版权所有
IXFN230N20T
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.05
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 115A
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 100A
R
G
= 1Ω (外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 10V ,我
D
= 60A ,注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
100
160
28
2540
310
41
35
104
29
378
125
86
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.138
° C / W
° C / W
( M4螺钉( 4X )提供)
SOT- 227B ( IXFN )大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 60A ,V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 115A ,V
GS
= 0V
-di / DT = 100A / μs的
V
R
= 75V
0.74
10.6
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
230
920
1.3
A
A
V
200纳秒
C
A
注1 :脉冲检验,t
300μS ;占空比D
2%.
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价,基于先前的知识和经验,并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利,测试
条件和尺寸,恕不另行通知。
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFN230N20T
图。 1.输出特性
@ 25C
240
220
200
180
V
GS
= 15V
10V
7V
350
300
250
7V
V
GS
= 15V
10V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
5V
0
0
1
100
50
I
D
- 安培
6V
200
150
6V
5V
2
3
4
5
6
7
8
9
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150C
240
220
200
180
160
V
GS
= 15V
10V
8V
7V
3.0
2.8
2.6
2.4
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 115A的价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
- 归
6V
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I
D
= 230A
I
D
= 115A
I
D
- 安培
140
120
100
80
60
40
20
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS ( ON)
归到我
D
= 115A的价值
与漏电流
3.4
3.2
3.0
2.8
T
J
= 175C
V
GS
= 10V
220
200
图。 6.漏电流与外壳温度
外部引线电流限制
180
160
R
DS ( ON)
- 归
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
50
100
150
200
250
300
350
T
J
= 25C
I
D
- 安培
140
120
100
80
60
40
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2009 IXYS公司,版权所有
IXFN230N20T
图。 7.输入导纳
200
180
240
160
140
200
280
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
120
100
80
25C
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
- 40C
T
J
= 150C
25C
160
120
80
40
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
150C
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
350
300
8
250
7
10
9
V
DS
= 100V
I
D
= 115A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 150C
T
J
= 25C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
200
150
100
50
0
6
5
4
3
2
1
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
400
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1,000
图。 12.正向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
R
DS ( ON)
极限
西塞
10,000
25s
I
D
- 安培
100
科斯
1,000
100s
T
J
= 175C
CRSS
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
1
T
C
= 25C
单脉冲
10
1ms
100
1000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF : F_230N20T ( 9E ) 09年3月25日
IXFN230N20T
图。 13.最大瞬态热阻抗
1.000
Z
(日) JC
- C / W
0.100
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2009 IXYS公司,版权所有
IXYS REF : F_230N20T ( 9E ) 09年3月25日
查看更多IXFN230N20TPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFN230N20T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXFN230N20T
IXYS
24+
1000
MODULE
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3463035523 复制

电话:0512-57718939
联系人:19951158678
地址:昆山开发区朝阳东路109号亿丰机电城北D202
IXFN230N20T
艾赛斯
21+
1000
原装
135¥/片,原装现货提供
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1229871090 复制
电话:400-15695632345
联系人:薛女士
地址:宣州区麒麟大道11号-102
IXFN230N20T
IXYS/艾赛斯
24+
1023
MODULE
全新原装现货原盒原标实拍 型号齐全欢迎询价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1989029555 复制
电话:13381567868
联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
IXFN230N20T
艾赛斯IXYS
21+
9999
Tray
全新原装,原厂渠道现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IXFN230N20T
IXYS/艾赛斯
21+
16800
MODULE
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:83415655 复制

电话:13311626995
联系人:易
地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
IXFN230N20T
艾赛斯IXYS
22+
8000
Tray
全新原装,原厂渠道现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFN230N20T
IXYS
19+
8700
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1257051031 复制
电话:0755-83361530
联系人:朱小姐
地址:深圳褔田区华强北上步工业区201栋303A
IXFN230N20T
IXYS/Littelfuse
22+
50
SOT-227
50¥/片,7-10天交期
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:823639999 复制

电话:021-51097965
联系人:杨全兴
地址:松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19
IXFN230N20T
艾塞斯
18+
500
全新原装
原装现货/品质有保证/诚信经营/可开13%增值票!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3463035523 复制

电话:0512-57718939
联系人:19951158678
地址:昆山开发区朝阳东路109号亿丰机电城北D202
IXFN230N20T
艾赛斯
21+
1000
原装
135¥/片,
查询更多IXFN230N20T供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!