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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第747页 > IXFN200N06
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低吨
rr
V
DSS
IXFN 200 N06
IXFN 180 N07
IXFN 200 N07
60 V
70 V
70 V
I
D25
200 A
180 A
200 A
t
rr
250纳秒
R
DS （ ON）
6毫瓦
7毫瓦
6毫瓦
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
L（ rms）的
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C ;芯片功能
终端电流限制
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
200N06/200N07
180N07
N07
N06
N07
N06
最大额定值
70
60
70
60
±20
±30
200
180
100
600
100
30
2
5
520
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
V~
V~
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
特点
国际标准封装
miniBLOC与氮化铝
隔离
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
快速内在整流器
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
安装力矩
终端连接扭矩
T = 1分
t=1s
2500
3000
1.5/13Nm/lb.in.
1.5/13Nm/lb.in.
30
g
应用
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
低电压继电器
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
N06
N07
60
70
2
V
V
V
nA
mA
mA
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V
4
±200
400
2
T
J
= 25°C
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
97533A (9/99)
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
200N06/200N07
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
180N07
6毫瓦
7毫瓦
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFN 200N06
符号
测试条件
IXFN 180N07 IXFN 200N07
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
60
80
9000
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.24
0.05
K / W
K / W
miniBLOC ， SOT- 227 B
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
4000
2400
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
60
100
60
480
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
60
240
miniBLOC ， SOT- 227 B
miniBLOC ， SOT- 227 B
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
200N06/200N07
180N07
200
180
600
1.7
150
250
A
A
A
V
ns
mC
A
T
U
25.07 0.968
0.1 -0.002
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= 25 A
-di / DT = 100 A / MS ，
V
R
= 50 V
0.7
9
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFN 200N06
IXFN 180N07 IXFN 200N07
175
150
T
J
= 25
O
C
600
V
GS
=10V
9V
8V
7V
6V
T
J
=25
O
C
500
V
GS
=10V
9V
8V
I
D
- 安培
125
100
75
50
25
0
0.0
I
D
- 安培
400
7V
5V
300
200
100
0
6V
5V
0.5
1.0
1.5
2.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
图1.输出特性25
O
C
V
DS
- 伏特
图2.扩展的输出特性
600
V
DS
> 4R
DS （ ON）
80
跨导 - 西门子
500
T
J
=150 C
O
70
60
50
40
30
20
10
0
0
V
GS
=10V
T
J
= 25
o
C
I
D
- 安培
400
T
J
=25
O
C
T
J
= 100
o
C
300
200
100
0
2
4
6
T
J
=100
O
C
T
J
= 150
o
C
8
10
12
100
200
300
400
500
600
V
GS
- 伏特
I
C
- 安培
图3.导纳曲线
图4中。
跨导主场迎战
漏电流
1.4
T
J
= 25 C
o
2.25
2.00
I
D
= 75A
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
1.3
R
DS （ ON）
- 归
500
600
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0
100
200
300
400
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图5.
DS （ ON）
标准化为0.5升
D25
价值
图6.归一化
DS （ ON）
- 结
温度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
IXFN 200N06
IXFN 180N07 IXFN 200N07
16
14
12
V
DS
= 40V
I
D
= 38A
I
G
= 1毫安
250
IXFN200
200
I
D
- 安培
V
GS
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
100
200
300
400
500
600
700
150
100
50
0
-50
IXFN180
（端子电流限制）
-25
0
25
50
75
100 125 150
O
栅极电荷 - nCoulombs
外壳温度 - C
图7.栅极电荷
图8.漏极电流与案例
温度
400
F = 1MHz的
T
J
=150
O
C
12000
10000
p
8000
6000
I
D
- 安培
西塞
300
200
T
J
=25
O
C
T
J
=150
O
C
科斯
p
4000
2000
0
0
10
20
30
40
CRSS
100
T
J
=100
O
C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
DS
- 伏特
V
SD
- 伏特
图9.电容曲线
10
0
热响应 - K / W
图10.源极 - 漏极电压与电流源
10
-1
10
-2
10
-3
10
-2
时间 - SECONDS
10
-1
10
0
图11.瞬态热阻
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
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ICS5342
IDT79R3010AE-33F
IDT72T3655L7BB
IRHM8360U
ISD1520P
ICS9118-03
IDT70V24L35PF
IDT70V35
IS24C08-2PI
IDT71V3579SA80BQG
IMSG300F-85C
IH5042MJE/HR
II640GY
ISL84053IAZ-T
IM1509HS1W
IL7710-3
ILE4267
IDT74FCT623CTDB
IDT71P74104S300BQ
IRKTF200-04DP
供货商
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单价/备注
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    IXFN200N06
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
IXFN200N06
SOT227
264
SOT227
IXYS
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联系人：李
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IXYS
24+
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联系人：李先生 李小姐
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24+
2176
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