HiPerFET
TM
功率MOSFET
单个MOSFET模
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低吨
rr
初步数据表
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
IXFN 120N20
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 200 V
= 120 A
=
17毫瓦
t
rr
250纳秒
最大额定值
200
200
±20
±30
120
480
120
64
3
5
600
-55 ... +150
150
-55 ... +150
-
2500
3000
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
特点
环氧树脂封装符合
UL 94 V - 0阻燃等级
国际标准套餐
miniBLOC ，用氮化铝
隔离
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
快速内在整流器
应用
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
200
2
V
4 V
±200
nA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
mA
2毫安
17毫瓦
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
低电压继电器
优势
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注1
易于安装
节省空间
高功率密度
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
96538C (7/99)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXFN 120N20
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注1
40
77
9100
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2200
1000
42
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
55
110
40
360
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
50
160
0.22
0.05
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
miniBLOC ， SOT- 227 B
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
120
480
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
R
S
T
U
25.07 0.968
0.1 -0.002
I
F
= 50A ， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
1.1
13
注： 1.脉冲检验，t
300
女士，
占空比
2 %
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
QQ：2881677436 复制
