HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
IXFH 7 N80
V
DSS
= 800 V
IXFM 7 N80
I
D（续）
= 7 A
R
DS （ ON）
= 1.4
W
t
rr
= 250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
最大额定值
800
800
±20
±30
7
28
7
18
5
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
TO- 204 AA （ IXFM ）
D
G
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13/10
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
DC-DC变换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源
直流斩波器
AC电机控制
温度和照明控制
低电压继电器
优势
易于使用1螺口（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
节省空间
高功率密度
91527F(7/97)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
800
2
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
250
1
1.4
V
V
nA
mA
mA
W
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFH 7N80
IXFM 7N80
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
4
6
2800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
250
100
35
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 4.7
W
（外部）
40
100
60
110
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
15
50
100
110
200
100
130
30
70
0.7
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ，
V
R
= 100 V
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
7
28
1.5
250
400
0.5
1.0
7.5
9.0
A
A
J
K
L
M
N
1.5 2.49
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
TO- 204 AA （ IXFM ）大纲
V
ns
ns
mC
mC
A
A
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
38.61 39.12
19.43 19.94
6.40 9.14
0.97 1.09
1.53 2.92
30.15 BSC
10.67 11.17
5.21 5.71
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84 4.19
25.16 25.90
英寸
分钟。马克斯。
1.520 1.540
- 0.785
0.252 0.360
0.038 0.043
0.060 0.115
1.187 BSC
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.020
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFH 7N80
IXFM 7N80
图。 1输出特性
图。 2输入导纳
9
8
7
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
6V
9
8
7
T
J
= 25°C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
5V
6
5
4
3
2
1
0
6
5
4
3
2
1
0
5
10
15
20
25
30
0
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
3.0
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
2.8
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 欧姆
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 3.5A
2.6
2.4
V
GS
= 10V
2.2
V
GS
= 15V
2.0
1.8
0
2
4
6
8
10
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
8
7
6
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
1.1
V
GS （ TH）
BV
DSS
BV / V
G（ TH ）
- 归
I
D
- 安培
5
4
3
2
1
0
-50
7N80
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
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