HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
V
DSS
IXFH / IXFM 10 N90
IXFH / IXFM 12 N90
IXFH13 N90
900 V
900 V
900 V
I
D25
10 A
12 A
13 A
R
DS （ ON）
1.1
W
0.9
W
0.8
W
t
rr
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C,
脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
10N90
12N90
13N90
10N90
12N90
13N90
10N90
12N90
13N90
最大额定值
900
900
±20
±30
10
12
13
40
48
13
10
12
13
30
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
TO- 204 AA （ IXFM ）
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
符号
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
D
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
G
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
l
l
l
l
l
l
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
900
2.0
V
V
nA
mA
mA
W
W
W
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
4.5
±100
25
1
1.1
0.9
0.8
应用
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流电动机的控制
温度和照明控制
低电压继电器
l
l
l
l
l
l
l
l
10N90
12N90
13N90
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
节省空间
高功率密度
l
l
l
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
91530G (3/98)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFH 10N90 12N90 IXFH IXFH 13N90
IXFM 10N90 12N90 IXFM
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
6
12
4200
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
315
90
18
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
W
（外部）
12
51
18
123
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
27
49
50
50
100
50
155
45
80
0.42
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10N90
12N90
13N90
10N90
12N90
13N90
10
12
13
40
48
52
1.5
250
400
1
2
10
15
A
A
A
A
A
A
V
ns
ns
mC
mC
A
A
J
K
L
M
N
1.5 2.49
TO- 204 AA （ IXFM ）大纲
I
SM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ，
V
R
= 100 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
38.61 39.12
19.43 19.94
6.40 9.14
0.97 1.09
1.53 2.92
30.15 BSC
10.67 11.17
5.21 5.71
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84 4.19
25.16 25.90
英寸
分钟。马克斯。
1.520 1.540
- 0.785
0.252 0.360
0.038 0.043
0.060 0.115
1.187 BSC
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.020
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFH 10N90 12N90 IXFH IXFH 13N90
IXFM 10N90 12N90 IXFM
图。 1输出特性
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5V
图。 2输入导纳
20
18
16
6V
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
7V
I
D
- 安培
I
D
- 安培
14
12
10
8
6
4
2
0
T
J
= 25°C
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
1.5
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
1.4
R
DS （ ON）
- 归
R
DS （ ON）
- 归
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 6A
1.3
1.2
V
GS
= 10V
1.1
V
GS
= 15V
1.0
0.9
0
5
10
15
20
25
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
20
18
16
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
V
GS （ TH）
1.1
BV
DSS
BV / V
G（ TH ）
- 归
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
14
12
10
8
6
4
2
0
-50
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
12N90
10N90
-25
0
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
IXFH 10N90 12N90 IXFH IXFH 13N90
IXFM 10N90 12N90 IXFM
图7栅极电荷特性曲线
10
8
V
DS
= 450V
I
D
= 13A
I
G
= 10毫安
10s
图8正向偏置安全工作区
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
10
限于由R
DS （ ON）
100s
1ms
V
GE
- 伏特
1
10ms
100ms
0.1
1
10
100
1000
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
图9电容曲线
4500
4000
C
国际空间站
Fig.10Source电流与源
漏极电压
18
16
14
电容 - pF的
3500
F = 1 MHz的
V
DS
= 25V
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
C
OSS
C
RSS
I
D
- 安培
3000
12
10
8
6
4
2
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
10
15
20
25
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
CE
- 伏特
V
SD
- 伏特
图11瞬态热阻抗
1
热响应 - K / W
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
QQ：2881677436 复制
