【先进的技术信息HiPerFETTM功率MOSFETQ类N沟道增强模式额定雪崩低Qg,高dv / dt】,IC型号IXFK90N20QS,IXFK90N20QS PDF资料,IXFK90N20QS经销商,ic,电子元器件-51电子网

先进的技术信息

HiPerFET

功率MOSFET

Q类

N沟道增强模式

额定雪崩

低Q

高dv / dt ，低吨

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

重量

从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）

安装力矩

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 25°C,

脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 2

= 25°C

IXFK90N20Q

IXFK90N20QS

DSS

D25

DS （ ON）

= 200 V

= 90 A

= 22

200纳秒

最大额定值

200

±20

±30

360

100

500

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

0.9/6

V / ns的

°C

纳米/ lb.in 。

TO- 264 AA

（ IXFK -S）

（ TAB ）

TO- 264 AA

（ IXFK ）

（ TAB ）

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

特点

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

200

±100

= 25°C

= 125°C

200

0.022

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

= V

, I

= 8毫安

±20

, V

= 0

= 0.8 V

DSS

= 0 V

IXYS先进的低Q

过程

国际标准封装

低R

DS （ ON）

非钳位感应开关（ UIS）

评级

快速内在整流器

快速开关

成型环氧符合UL 94 V- 0

易燃性分类科幻阳离子

优势

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

易于安装

节省空间

高功率密度

适用于表面安装S版

97536 (10/97)

IXFK90N20Q

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

11000

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

1600

100

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 1

（外部）

190

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

TO- 264 AA ; SMD- 264

TO- 264 AA

0.15

0.26

K / W

DIM 。

IXFK90N20QS

TO- 264 AA大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

2.54

2.00

1.12

2.39

2.90

0.53

25.91

19.81

5.46

0.00

20.32

2.29

3.17

6.07

8.38

3.81

1.78

6.04

1.57

5.13

2.89

2.10

1.42

2.69

3.09

0.83

26.16

19.96

BSC

0.25

20.83

2.59

3.66

6.27

8.69

4.32

2.29

6.30

1.83

英寸

分钟。

马克斯。

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

100

400

1.3

120

0.7

200

重复;脉冲宽度限制T

= 100 A，V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

= I

， -di / DT = 100 A / μs的，V

= 100 V

TO- 264贴片大纲

DIM 。

1门

2，4漏极（集电极）

3信号源（发射极）

毫米

分钟。

马克斯。

4.70

2.59

0.94

2.21

2.79

0.43

25.58

5.31

3.00

1.40

2.59

3.20

0.74

26.59

英寸

分钟。

马克斯。

.185

.102

.037

.087

.110

.017

1.007

.209

.118

.055

.102

.126

.029

1.047

19.30

20.29

5.46 BSC

4.90

2.24

1.90

0.00

3.10

6.10

8.38

3.94

2.16

5.10

2.44

2.10

0.10

3.51

6.50

8.79

4.75

2.36

.760

.799

0.215 BSC

.193

.088

.075

.000

.122

.240

.330

.155

.085

.201

.096

.083

.004

.138

.256

.346

.187

.093

.253

注意：

6.17

6.43

.243

1.这幅画的尺寸符合JEDEC $的要求

概括的TO- 264AA除L，L1 ，L2，L3 。 2.所有金属表面都镀焊锡，除了剪裁区域。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

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