【HiPerFETTM功率MOSFETQ系列N沟道增强模式额定雪崩，高dv / dt ，低Qg初步数据】,IC型号IXFK80N15Q,IXFK80N15Q PDF资料,IXFK80N15Q经销商,ic,电子元器件-51电子网

HiPerFET

功率MOSFET

Q系列

N沟道增强模式

额定雪崩，高dv / dt ，低Q

初步数据表

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

重量

从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）

安装力矩

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1兆瓦

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

， di / dt的

100 A / MS ，V

DSS

150℃ ，R

= 2

= 25°C

IXFH 80N15Q

IXFK 80N15Q

IXFT 80N15Q

DSS

D25

DS （ ON）

= 150

= 80

= 22.5

200

最大额定值

150

±20

±30

320

1.5

360

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

V / ns的

°C

AD TO- 247 （ IXFH ）

（ TAB ）

的TO- 268 （ D3），（ IXFT ）

（ TAB ）

TO- 264 AA （ IXFK ）

D（ TAB ）

TO-247

TO-264

TO-247

TO-264

TO-268

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

0.9 / 6牛米/ lb.in 。

G =门

S =源

TAB =漏

特点

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

150

2.0

4.0

±100

= 25°C

= 125°C

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250微安

= V

, I

= 4毫安

±20

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

低栅电荷

国际标准封装

环氧符合UL 94 V - 0可燃性

分类

低R

DS （ ON）

HDMOS

过程

坚固的多晶硅栅单元结构

雪崩能量和额定电流

快速内在整流器

优势

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

22.5 m

易于安装

节省空间

高功率密度

98725 (05/31/00)

IXFH 80N15Q IXFK 80N15Q

IXFT 80N15Q

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

4500

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

1400

680

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 2.0

（外部）

180

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

0.35

TO-247

TO-264

0.25

0.15

K / W

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.7

2.2

1.0

1.65

2.87

20.80

15.75

5.20

19.81

3.55

5.89

4.32

6.15

5.3

2.54

2.6

1.4

2.13

3.12

21.46

16.26

5.72

20.32

4.50

3.65

6.40

5.49

BSC

英寸

分钟。

马克斯。

.185

.087

.059

.040

.065

.113

.016

.819

.610

0.205

.780

.140

0.232

.170

242

.209

.102

.098

.055

.084

.123

.031

.845

.640

0.225

.800

.177

.144

0.252

.216

BSC

AD TO- 247 （ IXFH ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

终端：

1 - GATE

2 - 漏极

3 - 来源

标签 - 漏

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。马克斯。

320

1.5

200

TO- 264 AA大纲

重复;脉冲宽度限制T

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

300

女士，

占空比

2 %

= I

-di / DT = 100 A / MS ，V

= 100 V

1.2

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

5.13

2.54

2.89

2.00

2.10

1.12

1.42

2.39

2.69

2.90

3.09

0.53

0.83

25.91

26.16

19.81

19.96

5.46 BSC

0.00

0.25

0.00

0.25

20.32

20.83

2.29

2.59

3.17

3.66

6.07

6.27

8.38

8.69

3.81

4.32

1.78

2.29

6.04

6.30

1.57

1.83

分钟。

英寸

马克斯。

TO- 268外形

终端：

1 - GATE

2 - 漏极

3 - 来源

标签 - 漏

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

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