【PolarHVTMHiPerFET功率MOSFETN沟道增强模式额定雪崩快速内在二极管IXFK 48】,IC型号IXFK48N60P,IXFK48N60P PDF资料,IXFK48N60P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PolarHV

HiPerFET

功率MOSFET

N沟道增强模式

额定雪崩

快速内在二极管

IXFK 48N60P

IXFX 48N60P

DSS

DS （ ON）

≤

600 V

48 A

135m

200纳秒

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

dv / dt的

英镑

重量

出售

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25° C

= 25 ℃，脉冲宽度限制T

= 25° C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 4

= 25° C

最大额定值

600

±30

±40

110

2.0

830

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V / ns的

TO- 264 （ IXFK ）

（ TAB ）

PLUS247 （ IXFX ）

（ TAB ）

°C

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

安装扭矩（ TO- 264 ）

TO-264

PLUS247

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

塑料机身10秒

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

300

260

特点

符号

测试条件

= 25 ℃，除非另有规定）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

= V

, I

= 8毫安

±30

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 125° C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

600

3.0

5.0

±200

1000

135

国际标准封装

快恢复二极管

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

2006 IXYS所有权利

DS99375E(02/06)

IXFK 48N60P IXFX 48N60P

符号

测试条件

特征值

= 25 ℃，除非另有规定）

分钟。典型值。马克斯。

8860

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

850

= 10 V, V

= 0.5 I

D25

= 2

（外部）

150

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

0.15

C / W

TO- 264和PLUS247

0.15

C / W

TO- 264 （ IXFK ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

= 20V;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复

特征值

= 25 ℃，除非另有规定）

分钟。典型值。马克斯。

110

1.5

200

0.8

6.0

PLUS 247

（ IXFX ）大纲

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的

= 100V

端子： 1 - 门

2 - 漏极（集电极）

3 - 源（发射极）

4 - 漏极（集电极）

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

4.83

5.21

2.29

2.54

1.91

2.16

1.14

1.40

1.91

2.13

2.92

3.12

0.61

0.80

20.80 21.34

15.75 16.13

5.45 BSC

19.81 20.32

3.81

4.32

5.59

6.20

4.32

4.83

英寸

分钟。马克斯。

.190 .205

.090 .100

.075 .085

.045 .055

.075 .084

.115 .123

.024 .031

.819 .840

.620 .635

0.215 BSC

.780 .800

.150 .170

.220 0.244

.170 .190

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT均受4835592

一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

6,759,692

6,771,478 B2

IXFK 48N60P IXFX 48N60P

图。 1.输出特性

@ 25

= 10V

120

100

= 10V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25

- 安培

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125

= 10V

3.1

2.8

= 10V

- 伏特

图。 4.

DS （上

)

规范alized 0.5我

D25

值与结tem温度

- 安培

S（O N）

- 归

2.5

2.2

1.9

1.6

1.3

0.7

0.4

= 48A

= 24A

- 伏特

-50

-25

100

125

150

- 摄氏

图。 6.漏电流与案例

tem温度

图。 5.

DS （ ON）

规范alized到

3.4

3.1

0.5 I

D25

价值与我

= 10V

= 125C

S（O N）

- 归

2.8

2.5

2.2

1.9

1.6

1.3

0.7

- 安培

= 25C

100

120

140

-50

-25

100

125

150

- 安培

2006 IXYS所有权利

- 摄氏

IXFK 48N60P IXFX 48N60P

图。 7.输入上将ittance

4.5

5.5

6.5

100

图。 8.跨导

F小号

- 西门子

- 安培

= -40C

25C

125C

= 125C

25C

-40C

的s

- 伏特

图。 9.源电流和

源 - 漏电压

160

140

120

= 300V

= 24A

= 10毫安

- 安培

图。 10.栅极电荷

- 安培

的s

- 伏特

= 125C

= 25C

100

0.4

0.5

0.6

0.7

S.D。

- 伏特

0.8

0.9

1.1

1.2

1.3

100

120

140

160

- nanocoulombs

图。 13.马克西姆嗯瞬态千卡人

阻力

1.00

图。 11.电容

100000

F = 1MHz的

电容 - 皮法

国际空间站

1000

OSS

T H， J·C

C / W

10000

0.10

100

RSS

0.01

100

1000

- 伏特

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

脉冲宽度 - 毫秒

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IXYS

19+

355

标准封装

一级授权代理IGBT模块可控硅模块二极管晶闸管熔断器保证全新原装正品

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Littelfuse Inc.

24+

10000

TO-264AA（IXFK）

原厂一级代理，原装现货

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IXYS/艾赛斯

2443+

23000

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一级代理专营，原装现货，价格优势

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Littelfuse Inc.

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300

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全新原装现货，原厂代理。

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地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室

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电话：0755-/83218466/83200833

联系人：销售部

地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402

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22000

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