超前信息
HiPerFET
TM
功率MOSFET
单个MOSFET模
V
DSS
I
D25
43A
40A
43A
40A
R
DS （ ON）
0.13W
0.15W
0.13W
0.15W
t
rr
200ns
200ns
200ns
200ns
IXFN 43N60
IXFN 40N60
IXFK 43N60
IXFK 40N60
600V
600V
600V
600V
TO- 264 AA （ IXFK ）
符号
测试条件
最大额定值
IXFK IXFK
43N60 40N60
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
43
172
43
60
5
560
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
不适用
不适用
0.9/6
不适用
10
不适用
2500
3000
600
600
±20
±30
40
160
40
43
172
43
60
5
600
IXFN
43N60
IXFN
40N60
V
V
V
V
40
160
40
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
G =门
S =源
D
G
D
S
600
600
±20
±30
D（ TAB ）
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
G
S
D =漏
TAB =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
特点
·
国际标准封装
·
环氧树脂封装符合
UL 94 V - 0阻燃等级
·
miniBLOC与氮化铝
隔离
·
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
·
坚固的多晶硅栅单元结构
·
非钳位感应开关（ UIS）
评级
·
低封装电感
·
快速内在整流器
应用
·
DC- DC转换器
·
同步整流
·
电池充电器
·
开关模式和谐振模
电源
·
直流斩波器
·
温度和照明控制
·
低电压继电器
优势
·
易于安装
·
节省空间
·
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
DSS
V
GH （日）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V
GE
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
300毫秒，
占空比
2 %
T
J
= 25
°C
T
J
= 125
°C
43N60
40N60
特征值
分钟。马克斯。
600
2
4
±200
400
2
0.13
0.15
V
V
nA
mA
mA
W
W
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
97503 A(7/97)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXFK43N60
IXFK40N60
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
R
thJC
R
thCK
TO- 264 AA
TO- 264 AA
miniBLOC ， SOT- 227 B
miniBLOC ， SOT- 227 B
0.05
0.15
0.21
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
特征值
分钟。典型值。马克斯。
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
0.22
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
K / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
IXFN43N60
IXFN40N60
TO- 264 AA大纲
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
源极 - 漏极二极管
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
符号
测试条件
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
注：1 。
2.
V
GS
= 0
重复;
脉冲宽度限制T
JM
43N60
40N60
43N60
40N60
特征值
分钟。典型值。马克斯。
43
40
172
160
1.5
待定
待定
待定
A
A
A
A
V
ns
C
A
miniBLOC ， SOT- 227 B
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 50 A， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
R
GS
= 1 M
脉冲宽度限制T
JM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
QQ：2881677436 复制
