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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第719页 > IXFK240N15T2
高级技术信息
GigaMOS
TM
TrenchT2
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFK240N15T2
IXFX240N15T2
R
DS ( ON)
t
rr
TO- 264 ( IXFK )
V
DSS
I
D25
=
=
150V
240A
5.2mΩ
Ω
140ns
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
L( rms)的
I
DM
I
A
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25 ° C(芯片功能)
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
175°C
最大额定值
150
150
±
20
±
30
240
160
600
120
2
1250
20
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V
V
V
V
A
A
A
A
J
W
V / ns的
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
N /磅。
g
g
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
G
D
S
( TAB )
PLUS247 ( IXFX )
( TAB )
特点
国际标准封装
高电流处理能力
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS ( ON)
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩( TO- 264 )
安装力
TO-264
PLUS247
(PLUS247)
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
V
GS
= 10V ,我
D
= 60A ,注1
T
J
= 150°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
150
2.5
5.0
±
200
V
V
nA
应用
同步Recification
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
25
μA
3毫安
4.1
5.2 mΩ
2009 IXYS公司,版权所有
DS100191(09/09)
IXFK240N15T2
IXFX240N15T2
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.15
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1Ω (外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 10V ,我
D
= 60A ,注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
125
210
32
2280
270
1.50
48
125
77
145
460
125
130
0.12
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32 20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
TO- 264 ( IXFK )大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 100A ,V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 120A , -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 75V, V
GS
= 0V
410
8.2
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
240
960
1.2
140
A
A
V
ns
nC
A
PLUS 247
TM
( IXFX )大纲
注: 1 。
脉冲测试,T
300μS ;占空比D
2%.
端子: 1 - 门
2 - 漏极(集电极)
3 - 源(发射极)
4 - 漏极(集电极)
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价,基于先前的知识和经验,并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利,测试
条件和尺寸,恕不另行通知。
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
7,157,338B2
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFK240N15T2
IXFX240N15T2
图。 1.输出特性
@ T
J
= 25C
240
V
GS
= 15V
10V
8V
7V
400
350
300
6V
120
V
GS
= 10V
8V
7V
图。 2.扩展的输出特性
@ T
J
= 25C
200
160
I
D
- 安培
I
D
- 安培
250
200
150
100
6V
5.5V
80
5.5V
40
5V
50
0
5V
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ T
J
= 150C
240
V
GS
= 15V
10V
8V
7V
6V
3.0
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 120A的价值
- 结温
V
GS
= 10V
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
I
D
= 240A
I
D
= 120A
200
160
120
5V
80
40
4V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
0.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS ( ON)
归到我
D
= 120A的价值
与漏电流
3.4
V
GS
= 10V
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
T
J
= 25C
1.0
0.6
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
40
20
0
-50
T
J
= 175C
180
160
140
120
图。 6.漏电流与外壳温度
外部引线电流限制
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
100
80
60
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2009 IXYS公司,版权所有
IXFK240N15T2
IXFX240N15T2
图。 7.输入导纳
200
180
160
140
300
25C
400
T
J
= - 40C
350
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
120
100
80
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
T
J
= 150C
25C
- 40C
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
150C
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
320
280
240
10
9
8
7
V
DS
= 75V
I
D
= 120A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 150C
T
J
= 25C
200
160
120
80
40
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
6
5
4
3
2
1
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100.0
1,000.0
图。 12.正向偏置安全工作区
R
DS ( ON)
极限
25s
f
= 1兆赫
电容 - 纳法
西塞
10.0
100.0
外部引线限制
100s
I
D
- 安培
10.0
1ms
1.0
科斯
10ms
1.0
T
J
= 175C
T
C
= 25C
CRSS
单脉冲
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1,000
DC
100ms
0.1
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF : F_240N15T2 ( 8V ) 09年9月11日
IXFK240N15T2
IXFX240N15T2
图。 13.电阻导通上升时间
- 结温
380
340
300
R
G
= 1 , V
GS
= 10V
V
DS
= 75V
320
280
240
D
图。 14.电阻导通上升时间
与漏电流
R
G
= 1 , V
GS
= 10V
V
DS
= 75V
t
r
- 纳秒
t
r
- 纳秒
I
260
220
180
140
100
60
25
35
45
55
65
75
I
= 240A
200
160
120
80
40
0
T
J
= 125C
T
J
= 25C
D
= 120A
85
95
105
115
125
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 15.电阻导通开关时间
与栅极电阻
700
600
500
400
I
D
= 240A
300
200
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
= 120A
90
60
30
0
210
600
图。 16.电阻关断开关时间
- 结温
120
t
r
V
DS
= 75V
t
D(上)
- - - -
T
J
= 125°C ,V
GS
= 10V
180
150
120
t
f
500
V
DS
= 75V
t
D(关闭)
- - - -
110
R
G
= 1, V
GS
= 10V
t
D(上)
- 纳秒
t
D(关闭)
- 纳秒
t
r
- 纳秒
t
f
- 纳秒
400
100
300
I
D
= 240A
90
200
I
D
= 120A
80
100
70
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
60
125
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17.电阻关断开关时间
与漏电流
400
350
300
140
700
图。 18.电阻关断开关时间
与栅极电阻
600
t
f
V
DS
= 75V
t
D(关闭)
- - - -
R
G
= 1, V
GS
= 10V
T
J
= 125C
130
120
t
f
600
V
DS
= 75V
t
D(关闭)
- - - -
500
T
J
= 125°C ,V
GS
= 10V
t
D(关闭)
- 纳秒
t
D(关闭)
- 纳秒
t
f
- 纳秒
250
200
150
100
50
0
60
80
100
120
T
J
= 25C
110
100
90
80
70
60
240
t
f
- 纳秒
500
I
D
= 240A
I
D
= 120A
400
400
300
300
200
200
100
100
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
140
160
180
200
220
I
D
- 安培
R
G
- 欧姆
2009 IXYS公司,版权所有
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFK240N15T2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFK240N15T2
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXFK240N15T2
Littelfuse Inc.
24+
10000
TO-264AA(IXFK)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXFK240N15T2
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
TO-264
一级代理专营,原装现货,价格优势
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