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先进的技术信息

HiPerFET

功率MOSFET

IXFK 20N120

IXFX 20N120

DSS

D25

DS （ ON）

= 1200 V

20 A

0.75

≤

300纳秒

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，注1

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 2

= 25°C

最大额定值

1200

±30

±40

780

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

0.9/6

V / ns的

°C

纳米/ lb.in 。

PLUS 247

（ IXFX ）

D（ TAB ）

TO- 264 AA （ IXFK ）

D（ TAB ）

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

安装力矩

TO-264

PLUS 247

TO-264

特点

国际标准封装

低R

DS （ ON）

HDMOS

过程

坚固的多晶硅栅单元结构

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

快速内在整流器

应用

DC- DC转换器

电池充电器

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

交流电动机的控制

温度和照明控制

优势

PLUS 247

包夹子或弹簧

MOUNTING

节省空间

高功率密度

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1200

2.5

4.5 V

±100

= 25°C

= 125°C

100

2毫安

0.75

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 1毫安

= V

, I

= 8毫安

±30

V, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

注2

DS99112(11/03)

IXFK 20N120

IXFX 20N120

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

注2

7400

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

550

100

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 1

（外部）

160

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

0.16

0.15

K / W

DIM 。

终端：

1 - GATE

2 - 漏极（集电极）

3 - 源（发射极）

4 - 漏极（集电极）

PLUS 247

概要

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复;

脉冲宽度限制T

= 0 V ，注1

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

1.5

300

毫米

分钟。

马克斯。

4.83

5.21

2.29

2.54

1.91

2.16

1.14

1.40

1.91

2.13

2.92

3.12

0.61

0.80

20.80 21.34

15.75 16.13

5.45 BSC

19.81 20.32

3.81

4.32

5.59

6.20

4.32

4.83

英寸

分钟。马克斯。

.190 .205

.090 .100

.075 .085

.045 .055

.075 .084

.115 .123

.024 .031

.819 .840

.620 .635

0.215 BSC

.780 .800

.150 .170

.220 0.244

.170 .190

TO- 264 AA大纲

-di / DT = 100 A / μs的，V

= 100 V

1.4

注：1，脉冲宽度限制T

2.脉冲检验，t

≤

300

占空比

≤

2 %

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

5.13

2.54

2.89

2.00

2.10

1.12

1.42

2.39

2.69

2.90

3.09

0.53

0.83

25.91

26.16

19.81

19.96

5.46 BSC

0.00

0.25

0.00

0.25

20.32

20.83

2.29

2.59

3.17

3.66

6.07

6.27

8.38

8.69

3.81

4.32

1.78

2.29

6.04

6.30

1.57

1.83

分钟。

英寸

马克斯。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665

6,534,343 6,583,505

IXFK 20N100

IXFX 20N100

图。 1.输出特性

@ 25度。

= 10V

图。 2.输出特性

@ 125度。

= 10V

- 安培

- 伏特

图。。R

DS （ ON）

规范alized到我

D25

值与

结tem温度

2.8

2.6

2.4

= 10V

2.6

2.4

= 10V

- 伏特

图。 4.

DS （ ON）

规范alized到我

D25

价值与我

S（上）

- 归

S（上）

- 归

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

-50

-25

100

125

150

= 20A

= 10A

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

= 125C

= 25C

- 摄氏

图。 5.漏电流与案例

tem温度

-50

-25

100

125

150

3.5

- 安培

图。 6.输入上将ittance

- 安培

= 125C

25C

-40C

4.5

5.5

- 摄氏

的s

- 伏特

IXFK 20N100

IXFX 20N100

图。 7.跨导

图。 8.源电流和

源 - 漏电压

F小号

- 西门子

- 安培

= -40C

25C

125C

= 125C

= 25C

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

- 安培

图。 9.栅极电荷

= 600V

= 10A

= 10毫安

10000

S.D。

- 伏特

图。 10.电容

国际空间站

电容 - pF的

1000

的s

- 伏特

100

120

140

160

OSS

100

RSS

F = 1MHz的

- nanocoulombs

- 伏特

图。 11.马克西姆嗯瞬态千卡人抵抗

0.18

0.16

0.14

（ TH） J·C

- （ C / W）

0.12

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

脉冲宽度 - 毫秒

100

1000

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9000

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IXYS

2025+

26820

TO-264-3

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IXYS/艾赛斯

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TO-264

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24+

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