【高级技术信息PolarHTTMHiPerFET功率MOSFETN沟道增强模式IXFH 150N15P】,IC型号IXFK150N15P,IXFK150N15P PDF资料,IXFK150N15P经销商,ic,电子元器件-51电子网

高级技术信息

PolarHT

HiPerFET

功率MOSFET

N沟道增强模式

IXFH 150N15P

IXFK 150N15P

DSS

= 150

D25

= 150 A

DS （ ON）

≤

13 m

TO- 247 （ IXFH ）

符号

DSS

DGR

GSM

D25

D（ RMS）

dv / dt的

英镑

重量

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

安装力矩

TO-3P

TO-264

测试条件

= 25 ℃至175 ℃的

= 25 ℃175 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

外部引线电流限制

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

175 ° C，R

= 4

= 25°C

714

-55 ... +175

175

-55 ... +175

300

°C

特点

国际标准封装

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

最大额定值

150

±20

±30

150

340

2.5

V / ns的

（ TAB ）

TO- 264 （ SP ）（ IXTK ）

D（ TAB ）

D =漏

TAB =漏

G =门

S =源

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

5.5

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

= V

, I

= 4毫安

±20

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 175°C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

150

3.0

5.0

±100

500

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

DS99328(02/05)

IXFH 150N15P

IXFK 150N15P

的TO- 247的AD概要

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

5800

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

1730

400

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= I

D25

= 3.3

（外部）

100

190

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

105

0.21 K / W

TO-247

TO-264

0.21

0.15

K / W

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

标签 - 漏

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

DIM 。

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

150

340

1.5

毫米

分钟。马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

P 3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

TO- 264外形

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

= 25 A

-di / DT = 100 A / μs的

= 100 V

150 N s个

0.8

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

5.13

2.54

2.89

2.00

2.10

1.12

1.42

2.39

2.69

2.90

3.09

0.53

0.83

25.91

26.16

19.81

19.96

5.46 BSC

0.00

0.25

0.00

0.25

20.32

20.83

2.29

2.59

3.17

3.66

6.07

6.27

8.38

8.69

3.81

4.32

1.78

2.29

6.04

6.30

分钟。

英寸

马克斯。

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖

一个或moreof以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

6,759,692

6771478 B2

IXTK 150N15P

IXTQ 150N15P

图。 1.输出特性

@ 25

150

= 10V

330

300

270

240

= 10V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25

120

- 安培

210

180

150

120

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 150

150

= 10V

2.8

2.6

2.4

= 10V

- 伏特

图。 4.

DS （上

)

规范alized 0.5我

D25

值与结特温度

S（O N）

- 归

120

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

= 75A

= 150A

- 安培

0.8

0.6

-50

-25

100

125

150

175

- 伏特

图。 5.

DS （ ON）

规范alized 0.5我

D25

值与漏电流

3.4

3.1

= 175

- 摄氏

图。 6.漏电流与案例

tem温度

外部引线电流限制

S（O N）

- 归

2.8

- 安培

2.5

2.2

1.9

= 15V

1.6

1.3

0.7

100

= 25

= 10V

- 安培

150

200

250

300

350

-50

-25

100

125

150

175

- 摄氏

IXFH 150N15P

IXFK 150N15P

图。 7.输入上将ittance

250

225

200

110

100

图。 8.跨导

F小号

- 西门子

175

- 安培

150

125

100

4.5

5.5

6.5

7.5

8.5

= 150

-40

100 125 150 175 200 225 250

= -40

150

的s

- 伏特

图。 9.源Curre与新台币

来源 - 要 - 漏极电压

350

300

250

= 75V

= 75A

= 10毫安

- 安培

图。 10.栅极电荷

- 安培

的s

- 伏特

= 150

= 25

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

200

150

100

100 120 140 160 180 200

S.D。

- 伏特

- nanocoulombs

图。 12. FORW ARD偏置

安全工作是一个

1000

= 175

= 25

25s

图。 11.电容

100,000

F = 1MHz的

DS （ ON）

极限

电容 - 皮法

10,000

国际空间站

- 安培

OSS

1,000

100

1ms

10ms

100s

RSS

100

1000

- 伏特

IXFH 150N15P

IXFK 150N15P

F IG 。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱 ES是tance

1.00

T H， J·C

- C / W

0.10

0.01

100

1000

浦LS东西ID日 - 米illis权证 N D s

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IXYS

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355

标准封装

一级授权代理IGBT模块可控硅模块二极管晶闸管熔断器保证全新原装正品

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IXYS

24+

9000

TO-264-3, TO-264AA

原装正品现货

深圳市晶美隆科技有限公司

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IXYS

24+

10000

TO-264AA（IXFK）

原厂一级代理，原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

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联系人：陈泽强

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IXFK150N15P

IXYS/艾赛斯

2443+

23000

TO-264

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

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IXFK150N15P

IXYS

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TO-264AA（IXFK）

全新原装现货，原厂代理。

深圳勤思达科技有限公司

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联系人：吴

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IXFK150N15P

TO-3PL

270

TO-3PL

IXYS

深圳市科雨电子有限公司

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电话：171-4729-9698（微信同号）

联系人：周小姐，171-4729-9698微信同号，无线联通更快捷！

地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室

IXFK150N15P

IXYS

24+

326

TO-264

139￥/片,★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:139元

瀚佳科技（深圳）有限公司

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电话：0755-23915992/23140719

联系人：李

地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室

IXFK150N15P

IXYS

24+

2177

MODULE

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联系人：何小姐

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IXFK150N15P

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