IXFK 150N15
IXFX 150N15
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注2
50
75
9100
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2600
1200
50
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
60
110
45
360
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
65
190
0.22
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.83
5.21
2.29
2.54
A
1
A
2
1.91
2.16
b
1.14
1.40
b
1
1.91
2.13
b
2
2.92
3.12
C
0.61
0.80
D 20.80 21.34
E
15.75 16.13
e
5.45 BSC
L
19.81 20.32
L1
3.81
4.32
Q
5.59
6.20
R
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
PLUS247
TM
（ IXFX ）概要）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60A
nC
nC
nC
K / W
K / W
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 100A ，V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
150
600
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
TO- 264 AA大纲
I
F
= 50A ， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 50 V
1.1
13
注：1，脉冲宽度限制T
JM
2.脉冲检验，t
300
女士，
占空比
2 %
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
IXFK 150N15
IXFX 150N15
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注2
50
75
9100
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2600
1200
50
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
60
110
45
360
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
65
190
0.22
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.83
5.21
2.29
2.54
A
1
A
2
1.91
2.16
b
1.14
1.40
b
1
1.91
2.13
b
2
2.92
3.12
C
0.61
0.80
D 20.80 21.34
E
15.75 16.13
e
5.45 BSC
L
19.81 20.32
L1
3.81
4.32
Q
5.59
6.20
R
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
PLUS247
TM
（ IXFX ）概要）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60A
nC
nC
nC
K / W
K / W
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 100A ，V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
150
600
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
TO- 264 AA大纲
I
F
= 50A ， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 50 V
1.1
13
注：1，脉冲宽度限制T
JM
2.脉冲检验，t
300
女士，
占空比
2 %
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
QQ：2881677436 复制
