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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第923页 > IXFH80N10
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt
初步数据表
IXFH 80N10
IXFT 80N10
V
DSS
= 100 V
= 80 A
I
D25
R
DS （ ON）
= 12.5 m
t
rr
≤
200纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
L（ rms）的
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
铅限流
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
100
100
±20
±30
80
75
320
80
50
2.5
5
300
-55到+150
150
-55到+150
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
TO- 268 （ IXFT ）机箱样式
G
S
（ TAB ）
G =门
D
=漏
S =源选项卡=漏
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
安装力矩
TO-247
TO-268
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
4
g
g
特点
l
l
l
l
国际标准封装
低R
DS （ ON）
额定松开感性负载
开关（ UIS ）
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
100
2.0
4.0
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
50
1
12.5
V
V
nA
A
mA
m
优势
l
l
l
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
版权所有2000 IXYS所有权利。
98739 (8/00)
IXFH 80N10
IXFT 80N10
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
35
55
4800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1460
490
41
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2.5
（外部）
63
90
26
180
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
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D25
38
65
0.42
(TO-247)
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
1
2
3
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
80
320
1.5
A
A
V
TO- 268外形
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 50 V
0.5
6
200
ns
C
A
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt
初步数据表
IXFH 80N10
IXFT 80N10
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DSS
= 100 V
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符号
V
DSS
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E
AR
E
AS
dv / dt的
P
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T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
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J
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= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
铅限流
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
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T
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S
≤
I
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≤
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DSS
,
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100
±20
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75
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2.5
5
300
-55到+150
150
-55到+150
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
TO- 268 （ IXFT ）机箱样式
G
S
（ TAB ）
G =门
D
=漏
S =源选项卡=漏
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安装力矩
TO-247
TO-268
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
4
g
g
特点
l
l
l
l
国际标准封装
低R
DS （ ON）
额定松开感性负载
开关（ UIS ）
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
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优势
l
l
l
V
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V
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I
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高功率密度
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占空比
≤
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版权所有2000 IXYS所有权利。
98739 (8/00)
IXFH 80N10
IXFT 80N10
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
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K / W
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5.49
BSC
英寸
分钟。
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.209
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.800
.177
.144
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.216
BSC
1
2
3
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
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t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
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Q
G（ ON）的
Q
gs
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thJC
R
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DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
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Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
80
320
1.5
A
A
V
TO- 268外形
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
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, V
GS
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脉冲测试，T
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≤
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F
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6
200
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端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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IRKLF102-06GP
ICS525R-07LF
IRKUF200-08GP
IDT71V421S55TFI
ISO7220AQDRQ1
IDT74ALVCH16543PA
IDT74FCT162H272ETPV
IDT7206L80J
IDT74FCT2374CTLB
IDT70T3339S166BC
IDT70V9099L12PFI
IXFH42N20S
IDT7015S35J
IRGPC50FD2
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操作
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    联系人：杨小姐
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    IXFH80N10
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联系人：刘经理
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