IXFA6N120P IXFP6N120P
IXFH6N120P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
R
Gi
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
乡镇卫生院
TO-220
TO-247
0.50
0.21
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
= 0.5
I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 3Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.5
I
D25
注意1
门输入电阻
特征值
分钟。
典型值。
最大
3.0
5.0
1.8
2830
150
30
24
11
60
14
92
15
50
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.50 ° C / W
° C / W
° C / W
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
TO- 220 （ IXFP ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
记
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 3A ，V
GS
= 0V
-di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V
1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
TO- 263 （ IXFA ）大纲
DIM 。
A
b
b2
c
c2
D
D1
E
1.
2.
3.
4.
门
集热器
辐射源
集热器
底侧
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
0.51
1.14
0.40
1.14
8.64
8.00
9.65
6.22
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
4.83
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.89
10.41
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.13
英寸
分钟。马克斯。
.160
.020
.045
.016
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.190
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.005
特征值
分钟。
典型值。
最大
6
24
1.4
300
7.8
1.1
A
A
V
ns
A
C
TO- 247 （ IXFH ） AD纲要
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试
条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123B1
6,306,728B1
6,404,065B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
7,005,734B2
6,759,692
7,063,975B2
6,771,478B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFA6N120P IXFP6N120P
IXFH6N120P
图。 7.输入导纳
10
9
8
7
11
10
9
8
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
6
5
4
3
2
1
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
T
J
= 125C
25C
- 40C
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
25C
125C
7
8
9
10
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
18
16
14
12
10
8
6
T
J
= 125C
4
2
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
T
J
= 25C
10
9
8
7
V
DS
= 600V
I
D
= 3A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
1.000
图。 12.最大瞬态热阻抗
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
西塞
科斯
100
Z
（日） JC
- C / W
30
35
40
1,000
0.100
0.010
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_6N120P （ 6C ） 09年10月2日
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