IXFT50N60P3 IXFQ50N60P3
IXFH50N60P3
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
（TO- 247 & TO-3P ）
0.25
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
32
55
6300
630
2.5
1.0
31
20
62
17
94
27
23
S
pF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.12
° C / W
° C / W
TO-3P概要
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
记
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 25A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
e
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
50
200
1.4
250
11
1.1
A
A
V
ns
A
μC
1
2
3
的TO- 247概要
P
TO- 263外形
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
DIM 。
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试
条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
7,157,338B2
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFT50N60P3 IXFQ50N60P3
IXFH50N60P3
图。 13.最大瞬态热阻抗
1
图。 13.最大瞬态热阻抗
0.2
AAAAA
0.1
Z
（日） JC
- C / W
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2011 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： F_50N60P3 （ W8 ） 11年3月10日
QQ：2880707522 复制
