【PolarHVTMHiPerFET功率MOSFETN沟道增强模式额定雪崩快速内在二极管IXFH 44】,IC型号IXFH44N50P,IXFH44N50P PDF资料,IXFH44N50P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PolarHV

HiPerFET

功率MOSFET

N沟道增强模式

额定雪崩

快速内在二极管

IXFH 44N50P

IXFK 44N50P

IXFT 44N50P

DSS

D25

DS （ ON）

= 500 V

= 44 A

≤

140 m

≤

200纳秒

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

出售

重量

测试条件

= 25 ℃至175 ℃的

= 25 ℃175 ℃;

= 1 M

短暂

连续

= 25° C

= 25 ℃，脉冲宽度限制T

= 25° C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 10

= 25° C

最大额定值

500

±40

±30

110

1.7

650

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V / ns的

°C

AD TO- 247 （ IXFH ）

（ TAB ）

TO- 264 （ IXFK ）

（ TAB ）

TO- 268 （ IXFT ）

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

塑料外壳10秒

安装扭矩（ TO- 247 ）

TO-247

TO-268

TO-264

300

260

（ TAB ）

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

特点

符号

测试条件

= 25 ℃，除非另有规定）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

= V

, I

= 4毫安

±30

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 125° C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

500

3.0

5.0

±10

500

优势

国际标准封装

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

140 m

易于安装

节省空间

高功率密度

2006 IXYS所有权利

DS99366E(03/06)

IXFH44N50P IXFK 44N50P

IXFT 44N50P

符号

测试条件

特征值

= 25 ℃，除非另有规定）

分钟。

典型值。

马克斯。

5440

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

639

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= I

D25

= 3

（外部）

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

0.19 ° C / W

(TO-247)

(TO-264)

0.21

0.15

C / W

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

标签 - 漏

TO- 247 （ IXFH ）大纲

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

= 20V;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

DIM 。

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复

特征值

= 25 ℃，除非另有规定）

分钟。

典型值。

马克斯。

110

1.5

200

0.6

6.0

毫米

分钟。马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的

= 100V, V

= 0 V

TO- 268 （ IXFT ）大纲

TO- 264 （ IXFK ）大纲

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT均受4835592

一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2

6,710,463

6,727,585

6,759,692

6,771,478 B2

IXFH44N50P IXFK 44N50P

IXFT 44N50P

图。 1.输出特性

@ 25C

= 10V

100

= 10V

图。 2.扩展的输出特性

@ 25C

- 安培

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125C

= 10V

3.2

图。 4.

DS （ ON）

归到我

= 22A价值

V秒。结温

= 10V

2.8

DS （ ON）

- 归

- 安培

2.4

1.6

1.2

0.8

0.4

= 44A

= 22A

-50

-25

100

125

150

- 伏特

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

= 22A价值

与漏电流

3.2

3.0

2.8

= 10V

= 125C

图。 6，最大漏极电流V秒。

外壳温度

DS （ ON）

- 归

2.6

2.4

- 安培

= 25C

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

100

-50

-25

100

125

150

- 安培

- 摄氏

2006 IXYS所有权利

IXFH44N50P IXFK 44N50P

IXFT 44N50P

图。 7.输入导纳

= - 40C

25C

125C

图。 8.跨导

3.5

4.5

5.5

6.5

= 125C

25C

- 40C

F小号

- 西门子

- 安培

- 伏特

- 安培

图。 9.正向电压降

征二极管

140

120

100

= 250V

= 22A

= 10毫安

图。 10.栅极电荷

- 安培

- 伏特

= 25C

0.9

1.1

1.2

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

= 125C

100

- 伏特

- nanocoulombs

图。 11.电容

10,000

1,000

图。 12.正向偏置安全工作区

= 150C

国际空间站

= 25C

DS （ ON）

极限

电容 - 皮法

- 安培

1,000

100

25s

100s

1ms

10ms

OSS

100

F = 1 MHz的

RSS

100

1000

- 伏特

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXFH44N50P IXFK 44N50P

IXFT 44N50P

图。 13.最大瞬态热阻

1.00

（日） JC

- C / W

0.10

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

脉冲W ID - 秒

2006 IXYS所有权利

IXYS REF ： T_44N50P （ 8J ） 06年3月21日， B.xls

查看更多IXFH44N50PPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

QQ：2881677436 复制

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IXFH44N50P

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

QQ：2880707522 复制

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

IXFH44N50P

终端采购配单精选

更多配单专家

辉华拓展

QQ：

QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411

联系人：杨泽鹏

地址：深圳市福田区汉国中心55楼

IXFH44N50P

IXYS(艾赛斯)

22+

12709

原装原厂公司现货

深圳市俊晖半导体有限公司

QQ：

QQ：421123133 复制

电话：13410941925

联系人：李先生【原装正品,可开发票】

地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12

IXFH44N50P

IXYS(艾赛斯)

24+

7800

TO-247-3

原装正品现货，可开增值税专用发票

深圳宇邦高科技有限公司

QQ：

QQ：953787052 复制

QQ：849036869 复制

电话：15899765957 19573525995

联系人：朱小姐

地址：深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539

IXFH44N50P

IXYS(艾赛斯)

24+

9600

TO-247-3

原装正品热卖

深圳市华斯顿电子科技有限公司

QQ：

QQ：1002316308 复制

QQ：515102657 复制

电话：0755-83777708/83777607/82799993

联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

IXFH44N50P

长期收购

25+23+

53000

TO-247

绝对进口原装原包原盘！深圳优势现货渠道商！

深圳市昭兴微电子有限公司

QQ：

QQ：575915585 复制

电话：0755-23991909

联系人：林裕忠

地址：深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间

IXFH44N50P

IXYS(艾赛斯)

24+

8000

TO-247-3

全新原装正品，热卖价优

北京元坤国际科技有限公司

QQ：

QQ：1584878981 复制

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

IXFH44N50P

长期收购

21+

15000

TO-247

全新原装正品/质量有保证

瀚佳科技（深圳）有限公司

QQ：

QQ：3539722974 复制

QQ：3449124707 复制

电话：0755-23915992/23140719

联系人：李小姐

地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室

IXFH44N50P

IXYS

24+

68500

TO247

一级代理/放心采购

昆山隆诚翔电子有限公司

QQ：

QQ：2885615943 复制

电话：0512-82613006

联系人：曾小姐

地址：昆山市朝阳东路99号4楼

IXFH44N50P

IXYS

19+

355

标准封装

一级授权代理IGBT模块可控硅模块二极管晶闸管熔断器保证全新原装正品

深圳市巨盛邦电子有限公司

QQ：

QQ：2885615954 复制

电话：19129493510

联系人：李

地址：福田区上步工业区101栋4楼

IXFH44N50P

IXYS

22+

1800

TO247

原装正品

深圳市恒佳微电子有限公司

QQ：

QQ：1807086236 复制

QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336

联系人：朱经理、张小姐

地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室

IXFH44N50P

长期收购

19+

5000

TO-247

十年专营，供应原装正品！热卖现货！

查询更多IXFH44N50P供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司