IXFH26N60
IXFT26N60
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
11
18
5000
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
600
250
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1.5
W
（外部）
43
110
30
250
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
33
115
26N60
28N60
TO-247
TO-264
0.25
0.15
300
45
150
0.35
0.30
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
K / W
IXFK28N60
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
1.5 2.49
TO- 264 AA （ IXFK ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
26N60
28N60
26N60
28N60
26
28
104
112
1.5
250
A
A
A
A
V
ns
mC
A
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
1
10
TO- 268AA （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
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