HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低Q
g
IXFH 15N80Q
IXFT 15N80Q
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
=
=
=
800 V
15 A
0.60
W
t
rr
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
最大额定值
800
800
±20
±30
15
60
15
30
1.0
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
TO- 268 （ D3 ） （ IXFT ）机箱样式
G
W
°C
°C
°C
°C
特点
G =门
S =源
S
D =漏
TAB =漏
（ TAB ）
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
TO-247
TO-268
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
4
g
g
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
800
2.0
4.5
±100
25
1
0.60
V
V
nA
mA
mA
W
IXYS先进的低Q
g
过程
国际标准封装
低R
DS （ ON）
非钳位感应开关（ UIS）
评级
快速开关
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98514B (7/00)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFH 15N80Q
IXFT 15N80Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
8
16
4300
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
360
60
18
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1.5
W
（外部）
27
53
16
90
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
20
30
0.42
(TO-247)
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
15
60
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
J
K
L
M
N
1.5 2.49
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
0.85
8
TO- 268AA （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFH 15N80Q
IXFT 15N80Q
12
10
V
DS
= 400 V
I
D
= 7.5 A
I
G
= 10毫安
10000
电容 - pF的
V
GS
- 伏特
8
6
4
2
0
1000
西塞
F = 1MHz的
科斯
100
CRSS
10
0
20
40
60
80
100
120
0
5
10
15
20
25
30
35
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
图7.栅极电荷
50
40
60
图8.电容曲线
1 00
I
D
- 安培
30
T
J
= 125
O
C
I
D
- 安培
10
0.1毫秒
1毫秒
10
ms
100
ms
DC
20
T
J
= 25
O
C
1
T
C
= 25 C
O
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0. 1
10
1 00
1 000
V
SD
- 伏特
V
DS
- 伏特
1.00
图9.源电流和源极到漏极电压Figure10 。正向偏置安全工作
区域
D=0.5
R（日）
JC
- K / W
0.10
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
0.01
D=0.01
单脉冲
0.00
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度 - 秒
图11.瞬态热阻
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
QQ：2880707522 复制
