IXFH15N100P IXFV15N100P
IXFV15N100PS
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
（TO- 247 ， PLUS220 ）
0.21
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
10.5
5140
322
43
1.20
41
44
44
58
97
38
42
S
pF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.23
° C / W
° C / W
PLUS220 （ IXFV ）大纲
源极 - 漏极二极管
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 7.5A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
15
60
1.5
A
A
V
TO- 247 （ IXFH ）大纲
300纳秒
0.6
7
μC
A
P
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
PLUS220SMD （ IXFV_S ）大纲
DIM 。
e
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
7,157,338B2
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFH15N100P IXFV15N100P
IXFV15N100PS
图。 7.输入导纳
16
14
12
T
J
= 125C
25C
- 40C
18
16
14
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
12
10
8
6
10
8
6
4
2
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
T
J
= - 40C
25C
125C
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
45
40
35
16
14
12
V
DS
= 500V
I
D
= 7.5A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
30
25
20
15
10
5
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
T
J
= 125C
T
J
= 25C
V
GS
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
1.000
图。 12.最大瞬态热
阻抗
电容 - 皮法
西塞
Z
（日） JC
- C / W
30
35
40
1,000
0.100
科斯
100
f
= 1兆赫
10
0
5
10
15
20
CRSS
0.010
0.0001
25
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_15N100P （ 76 ） 08年4月1日-A
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