【HiPerFETTM功率MOSFETIXFG 55N50ISOPLUS247TM（电隔离背面）单芯片】,IC型号IXFG55N50,IXFG55N50 PDF资料,IXFG55N50经销商,ic,电子元器件-51电子网

HiPerFET

功率MOSFET

IXFG 55N50

ISOPLUS247

（电隔离背面）

单芯片MOSFET

DSS

D25

DS （ ON）

= 500 V

= 48 A

= 90 m

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

ISOL

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 2

= 25°C

最大额定值

500

±20

±30

220

400

-40 ... +150

150

-40 ... +150

V / ns的

°C

ISO264

（ TAB ）

G =门

S =源

D =漏

特点

对直接铜键合硅片

基板

- 高功率耗散

- 隔离安装面

- 2500V电气隔离

低漏片电容（ <50pF ）

低R

DS （ ON）

HDMOS

过程

坚固的多晶硅栅单元结构

非钳位感应开关（ UIS）

评级

快速内在整流器

应用

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

50/60赫兹， RMS

安装力矩

T = 1分

300

2500

0.4 / 6牛米/磅 - 英寸

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

500

2.5

4.5 V

±200

= 25°C

= 125°C

2毫安

90 m

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 1毫安

= V

, I

= 8毫安

±20

V, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 10 V，I

= I

注1

DC- DC转换器

电池充电器

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

交流电动机的控制

优势

组装方便

节省空间

高功率密度

DS99050(05/03)

IXFG 55N50

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

注1

9400

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

1280

460

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= I

= 1

（外部）

120

330

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= I

155

0.30

0.15

ISO264概要

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= I

K / W

1 - GATE

2 - 漏极（集电极）

3 - 源（发射极）

4 - 无连接

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

220

1.5

250

重复;脉冲宽度限制T

= I

, V

= 0 V

= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的，V

= 100 V

1.0

注： 1.脉冲检验，t

≤

300

占空比

≤

2 %

2. I

测试电流：I

= 27.5A

见IXFK55N50数据表

特性曲线。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665

6,534,343

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