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HiPerFET
TM
功率MOSFET
单芯片MOSFET
初步数据表
符号测试条件
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
L（ rms）的
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1毫安
T = 1分
t=1s
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1M
连续
短暂
T
C
= 25°C
终端（限流）
T
C
= 25°C ;注1
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
IXFE 180N10
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 100 V
= 176 A
=
8 m
t
rr
≤
250纳秒
最大额定值
100
100
±20
±30
176
100
720
180
60
3
5
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
3000
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
ISOPLUS 227
TM
（ IXFE ）
S
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
特点
符合SOT- 227B外形
封装
环氧会见
UL 94 V - 0阻燃等级
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
安装力矩
终端连接扭矩
1.5/13Nm/lb.in.
1.5/13Nm/lb.in.
19
g
快
内在整流器
应用
DC- DC转换器
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20V,
V
GS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10V ，我
D
=
I
T
注2
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
100
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
2
8
V
V
nA
A
mA
m
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明
低电压继电器
优势
易于安装
控制
节省空间
高功率密度
版权所有2002 IXYS所有权利。
98902 (2/02)
IXFE 180N10
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
注意：
I
T
= 90 A
0.07
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=
I
T
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=
I
T
R
G
= 1
（外部）
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60A ，注2
特征值
分钟。典型值。马克斯。
60
90
9100
3200
1600
50
90
140
65
360
65
190
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
ISOPLUS -227 B
源极 - 漏极二极管
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
符号
测试条件
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
注意事项：
V
GS
= 0
重复;
Note1
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V,
Note2
I
F
= 50 A， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 50 V
特征值
分钟。典型值。马克斯。
180
720
1.5
250
1.1
13
A
A
V
ns
C
A
请参阅IXFN180N10数据
片材的特性曲线。
1.脉冲宽度限制T
JM 。
2.脉冲检验，t
≤
300毫秒，占空比
≤
2 %
3.
I
T
= 90A
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
HiPerFET
TM
功率MOSFET
单芯片MOSFET
初步数据表
符号测试条件
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
L（ rms）的
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1毫安
T = 1分
t=1s
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1M
连续
短暂
T
C
= 25°C
终端（限流）
T
C
= 25°C ;注1
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
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DSS
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150℃ ，R
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= 2
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C
= 25°C
IXFE 180N10
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 100 V
= 176 A
=
8 m
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rr
≤
250纳秒
最大额定值
100
100
±20
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-55 ... +150
150
-55 ... +150
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2500
3000
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
ISOPLUS 227
TM
（ IXFE ）
S
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
特点
符合SOT- 227B外形
封装
环氧会见
UL 94 V - 0阻燃等级
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
安装力矩
终端连接扭矩
1.5/13Nm/lb.in.
1.5/13Nm/lb.in.
19
g
快
内在整流器
应用
DC- DC转换器
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20V,
V
GS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10V ，我
D
=
I
T
注2
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
100
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
2
8
V
V
nA
A
mA
m
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明
低电压继电器
优势
易于安装
控制
节省空间
高功率密度
版权所有2002 IXYS所有权利。
98902 (2/02)
IXFE 180N10
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
注意：
I
T
= 90 A
0.07
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=
I
T
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
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=
I
T
R
G
= 1
（外部）
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60A ，注2
特征值
分钟。典型值。马克斯。
60
90
9100
3200
1600
50
90
140
65
360
65
190
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
ISOPLUS -227 B
源极 - 漏极二极管
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
符号
测试条件
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
注意事项：
V
GS
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重复;
Note1
I
F
= 100 A，V
GS
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Note2
I
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= 50 A， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 50 V
特征值
分钟。典型值。马克斯。
180
720
1.5
250
1.1
13
A
A
V
ns
C
A
请参阅IXFN180N10数据
片材的特性曲线。
1.脉冲宽度限制T
JM 。
2.脉冲检验，t
≤
300毫秒，占空比
≤
2 %
3.
I
T
= 90A
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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IR2183SPBF
IDT71256SA12T
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IRKTF82-02DP
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IRKK161-16
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IRS2541STRPBF
ISL6292EVAL1Z
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ISL88022IU8HFZ
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ISL21060CFH630Z-TK
IRHM58Z60
IDT707288S25PFI
IDT54FCT16841ATPA
供货商
型号
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单价/备注
操作
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    联系人：杨小姐
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    IXFE180N10
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    -
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IXFE180N10
IXYS
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一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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原装正品现货
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联系人：朱先生
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IXYS
2025+
26820
SOT-227B
【原装优势★★★绝对有货】
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联系人：李
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联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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19000
SOT-227B
全新原装现货，原厂代理。
深圳勤思达科技有限公司
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电话：0755-83268779
联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
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全新进口 现货库存 欢迎咨询洽谈
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联系人：李
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
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IXYS
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MODULE
公司大量 现货随时可以发货
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联系人：李先生 李小姐
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