PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
ISOPLUS 220
TM
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
IXFC 26N50P
（电气绝缘标签）
V
DSS
=
=
I
D25
R
DS （ ON）
≤
TRR
≤
500
V
15
A
260 m
250纳秒
最大额定值
500
500
±30
±40
15
78
26
40
1.0
20
130
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
N /磅
g
ISOPLUS220
TM
（ IXFC ）
E153432
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25° C
T
C
= 25 ℃，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 4
T
C
= 25° C
G
D
S
（隔离TAB ）
G =门
S =源
D =漏
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
50/60赫兹， RMS ， T = 1 ，导致对标签
安装力
300
2500
11..65/2.5..15
2
特点
l
对直接铜键合硅片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
l
低漏片电容（ <30pF ）
l
l
l
l
l
应用
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流电动机的控制
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
3.0
5.5
±100
25
250
260
V
V
nA
A
A
m
l
l
l
优势
组装方便
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V，I
D
= I
T
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
2006 IXYS所有权利
DS99310E(03/06)
IXFC 26N50P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。
典型值。
马克斯。
18
28
3600
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
380
48
20
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 4
（外部）
25
58
20
65
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
20
20
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.95 ° C / W
0.21
°
C / W
ISOPLUS220概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 10 V ;我
D
= I
T
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。
典型值。
马克斯。
26
78
1.5
A
A
V
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25 A
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V, V
GS
= 0 V
250纳秒
0.3
C
注：测试电流I
T
= 13A
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
6,710,405B2 6,759,692
6,710,463
6,771,478 B2
IXFC 26N50P
图。 13.最大瞬态热阻
1.00
R
（日） JC
- C / W
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲W ID - 秒
2006 IXYS所有权利
IXYS REF ： T_26N50P （ 6J ） 06年2月9日， B.xls
QQ：2881677436 复制
