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高级技术信息
HiPerFET的MOSFET
ISOPLUS220
TM
电气隔离返回地面
N沟道增强模式
高dv / dt ,
LOW吨
rr
, HDMOS
TM
家庭
TM
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
0.20
0.23
IXFC 26N50
IXFC 24N50
500 V
23 A
500 V
21 A
t
rr
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
T
J
150℃ ,R
G
= 2
T
C
= 25°C
26N50
24N50
26N50
24N50
26N50
24N50
最大额定值
500
500
±20
±30
23
21
92
84
26
24
30
5
230
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
g
ISOPLUS 220
TM
G
D
S
孤立的背面*
G =门
S =源
D =漏
*专利申请中
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
50/60赫兹, RMS
吨= 1分钟引出至标签
300
2500
3
特点
l
对直接铜键合硅片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
l
低漏片电容( <35pF )
l
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
l
坚固的多晶硅栅单元结构
l
非钳位感应开关( UIS)
评级
l
快速内在整流器
应用
l
DC- DC转换器
l
电池充电器
l
开关模式和谐振模
电源
l
直流斩波器
l
交流电动机的控制
优势
l
易于组装:无螺丝或隔离
需要箔
l
节省空间
l
高功率密度
l
低集电极对地电容
(低EMI )
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
26N50
24N50
200
1
0.20
0.23
V
V
nA
A
mA
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= I
T
注1 & 2
版权所有2000 IXYS所有权利。
98755 (10/00)
IXFC 26N50
IXFC 24N50
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
注1
11
21
4200
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
450
135
16
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1
(外部)
33
65
30
135
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
28
62
0.54
0.30
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
ISOPLUS220概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 15 V ;我
D
= I
T
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
s
, -di / DT = 100 A / μs的,
V
R
= 100 V
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
26
104
1.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
250
400
1
A
A
V
ns
ns
C
C
A
A
注:所有接线端子焊锡镀。
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ,注1
1
2
10
15
注: 1.脉冲检验,t
300
s,
占空比
2 %
2. I
T
测试电流:
IXFC26N50
I
T
= 13A
IXFC24N50
I
T
= 12A
3.请参阅IXFH26N50数据表特性曲线。
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
查看更多IXFC24N50PDF信息
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFC24N50
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXFC24N50
IXYS
24+
9000
ISOPLUS220?
原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
IXFC24N50
IXYS
2025+
26820
ISOPLUS220?
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXFC24N50
IXYS
24+
10000
ISOPLUS220?
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IXFC24N50
IXYS
24+
27200
TO-220铁头
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2273544375 复制 点击这里给我发消息 QQ:1402770874 复制

电话:13711580601
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
IXFC24N50
IXYS
21+
10000
TO-220铁头
原装正品 力挺实单
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IXFC24N50
IXYS
21+22+
27000
TO-220铁头
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IXFC24N50
IXYS
21+
10
TO-220铁头
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1989029555 复制
电话:13381567868
联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
IXFC24N50
IXYS
22+
7000
TO-220铁头
只有原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IXFC24N50
专营IXYS
2024
33250
TO-220
原装现货上海库存,欢迎查询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IXFC24N50
ixys
21+
11520
TO-220
全新原装正品/质量有保证
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