IXFC 26N50
IXFC 24N50
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
注1
11
21
4200
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
450
135
16
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
R
G
= 1
(外部)
33
65
30
135
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
28
62
0.54
0.30
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
ISOPLUS220概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 15 V ;我
D
= I
T
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
s
, -di / DT = 100 A / μs的,
V
R
= 100 V
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
26
104
1.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
250
400
1
A
A
V
ns
ns
C
C
A
A
注:所有接线端子焊锡镀。
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ,注1
1
2
10
15
注: 1.脉冲检验,t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
2. I
T
测试电流:
IXFC26N50
I
T
= 13A
IXFC24N50
I
T
= 12A
3.请参阅IXFH26N50数据表特性曲线。
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025