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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第395页 > IXFB60N80P
PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFB 60N80P
V
DSS
= 800 V
I
D25
=
60 A
R
DS （ ON）
≤
140 m
≤
250纳秒
t
rr
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25° C
T
C
= 25 ℃，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25° C
最大额定值
800
800
±30
±40
60
150
30
100
5
20
1250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
N /磅
g
PLUS264
TM
（ IXFB ）
G
（ TAB ）
D
S
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
l
l
l
l
国际标准封装
快恢复二极管
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑料机身10秒
安装力
300
260
30..120/7.5...2.7
10
优势
l
l
l
PLUS 264
TM
包夹子或弹簧
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
800
3.0
5.0
±200
25
3000
140
V
V
nA
A
A
m
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注意1
2006 IXYS所有权利
DS99560E(02/06)
IXFB 60N80P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
35
67
18
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1200
44
36
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
29
110
26
250
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
90
78
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.10
°
C / W
0.13
°
C / W
PLUS264
TM
（ IXFB ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
注意1
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
注意事项：
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
60
150
1.5
250
0.6
6.0
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXFB 60N80P
图。 1.输出特性
@ 25C
60
55
50
45
V
GS
= 10V
7V
100
120
V
GS
= 10V
7V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
5V
6V
I
D
- 安培
40
80
60
6V
40
20
5V
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
60
55
50
45
V
GS
= 10V
7V
3.2
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= 30A价值
V秒。结温
V
GS
= 10V
2.8
R
DS （ ON）
- 归
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
I
D
- 安培
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
6V
I
D
= 60A
I
D
= 30A
5V
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= 30A价值
与漏电流
2.8
2.6
2.4
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
70
60
50
图。 6，最大漏极电流V秒。
外壳温度
R
DS （ ON）
- 归
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
20
40
60
80
100
120
T
J
= 25C
I
D
- 安培
40
30
20
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏
2006 IXYS所有权利
IXFB 60N80P
图。 7.输入导纳
80
70
60
50
40
30
20
10
0
4
4.25
4.5
4.75
5
5.25
5.5
5.75
6
6.25
6.5
6.75
130
120
110
100
T
J
= 125C
25C
- 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
T
J
= - 40C
25C
125C
I
D
- 安培
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
180
160
140
120
10
9
8
7
V
DS
= 400V
I
D
= 30A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
100
80
60
40
20
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200 220 240 260
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
F = 1 MHz的
1.000
图。 12.最大瞬态热
阻力
电容 - 皮法
10,000
国际空间站
1,000
OSS
R
（日） JC
- C / W
0.100
0.010
100
RSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲W ID - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
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推荐型号
IRKLF112-08CP
IXFH14N80
IRF441R
ICS9DB801CFLFT
IDT54FCT163CTQB
IRKN210-14
ICL8049CCJE
IRKLF101-10FP
IRKK135-14
IDT70T631S10BFI
IMST400-X20I
IS61VPD51218A-250TQI
IDT74FCT2533TD
IDT71V2546S150PFI
IQ48-5TQ80
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