IXFB300N10P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.13
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 100A
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 60A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
55
92
23
6100
417
36
35
56
25
279
84
107
0.10
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
PLUS264
TM
（ IXFB ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
300
1000
1.3
200
0.71
10
A
A
V
ns
μC
A
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 100A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 150A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 50V
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFB300N10P
图。 。跨
180
160
140
T
J
= - 40C
300
250
350
图。 8.正向电压降
征二极管
g
F小号
- 西门子
I
S
- 安培
120
100
80
60
25C
150C
200
150
T
J
= 150C
100
T
J
= 25C
50
0
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
I
D
- 安培
V
SD
- 伏特
图。 9.栅极电荷
10
9
8
7
V
DS
= 50V
I
D
= 150A
100,000
图。 10.电容
f
= 1兆赫
西塞
电容 - 皮法
I
G
= 10毫安
V
GS
- 伏特
10,000
6
5
4
3
2
1
0
0
40
80
120
160
200
240
280
科斯
1,000
CRSS
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
G
- nanocoulombs
V
DS
- 伏特
图。 11.正向偏置安全工作区
1,000
R
DS （ ON）
极限
100s
1.000
图。 12.最大瞬态热
阻抗
I
D
- 安培
外部引线限制
1ms
10
T
J
= 175C
T
C
= 25C
单脉冲
1
1
10
100
1000
10ms
DC
100ms
Z
（日） JC
- C / W
100
0.100
0.010
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_300N10P （ 9S ） 08年7月22日
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