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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第596页 > IXFB170N30P
初步技术信息
POLAR
TM
功率MOSFET
HiPerFET
TM
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFB170N30P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
t
rr
=
=
300V
170A
18mΩ
Ω
200ns
PLUS264
TM
( IXFB )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
LRMS
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
F
C
重量
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料机身10秒
安装力
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
导致电流限制, RMS
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
300
300
±20
±30
170
75
500
85
5
20
1250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
30..120/6.7..27
10
V
V
V
V
A
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
N /磅。
g
优势
低栅极电荷结果简单
驱动要求
改进的门,雪崩和
动态的dv / dt坚固
高功率密度
应用
V
4.5
±200
T
J
= 125°C
25
1.5
18
V
nA
μA
mA
的DC-DC Coverters
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
AC和DC电机控制
不间断电源
高速电源开关
应用
特点
快速内在二极管
额定雪崩
非钳位感应开关( UIS)
评级
非常低R
th
结果高功率
耗散
低R
DS ( ON)
和Q
G
低封装电感
G
D
( TAB )
S
G =门
S =源
D
=漏
TAB =漏
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
300
2.5
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2008 IXYS公司,保留所有权利。
DS100000(06/08)
IXFB170N30P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.13
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=0.5 I
D25
R
G
= 1Ω (外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 10V ,我
D
= 60A ,注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
57
95
20
2450
27
41
29
79
16
258
82
78
0.10
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
PLUS264
TM
( IXFB )大纲
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0V
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
170
500
1.3
200
1.85
21
A
A
V
ns
μC
A
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 85A ,V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 85A , -di / DT = 150A / μs的
V
R
= 100V
注1 :脉冲检验,t
300μS ;占空比D
2%.
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制,试验条件和尺寸,恕不另行通知。
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFB170N30P
图。 1.输出特性
@ 25C
180
160
140
V
GS
= 10V
8V
250
7V
300
V
GS
= 10V
8V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
120
100
80
60
40
6V
200
7V
150
6V
100
50
20
5V
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
5V
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
180
160
140
V
GS
= 10V
8V
7V
3.2
2.8
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 85A价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
- 归
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
I
D
= 170A
I
D
= 85A
I
D
- 安培
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
5V
6V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS ( ON)
归到我
D
= 85A价值
与漏电流
2.8
2.6
2.4
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
90
80
70
图。 6,最大漏极电流与
外壳温度
外部引线电流限制
R
DS ( ON)
- 归
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
50
100
150
200
250
300
T
J
= 25C
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2008 IXYS公司,保留所有权利。
IXFB170N30P
图。 7.输入导纳
180
160
140
T
J
= 125C
25C
- 40C
200
T
J
= - 40C
180
160
140
25C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
120
100
80
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
120
100
80
60
40
20
0
125C
5.0
5.5
6.0
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
350
300
8
250
7
10
9
V
DS
= 150V
I
D
= 85A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
200
150
100
50
0
6
5
4
3
2
1
0
0
40
80
120
160
200
240
280
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
西塞
1,000.0
图。 12.正向偏置安全工作区
R
DS ( ON)
极限
25s
电容 - 皮法
10,000
100.0
100s
1,000
科斯
I
D
- 安培
10.0
1ms
100
CRSS
1.0
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
10ms
DC
100ms
1000
f
= 1兆赫
10
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF : F_170N30P ( 9S ) 08年6月24日
IXFB170N30P
图。 12.最大瞬态热阻抗
1.000
0.100
Z
(日) JC
- C / W
0.010
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2008 IXYS公司,保留所有权利。
IXYS REF : F_170N30P ( 9S ) 08年6月24日
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封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFB170N30P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
IXFB170N30P
IXYS
25+
32560
TO-264
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFB170N30P
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IXFB170N30P
专营IXYS
2024
65890
PLUS264
原装现货上海库存,欢迎查询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
IXFB170N30P
IXYS/艾赛斯
2024
20918
TO264
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IXFB170N30P
IXYS
21+22+
12600
TO264
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
IXFB170N30P
IXYS/艾赛斯
23+
59580
TO-264 PLUS
原装正品 华强现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXFB170N30P
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
TO-264
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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▲10/11+
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IXYS
2025+
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