IXFB 100N50P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
分钟。典型值。马克斯。
50
80
20
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
1700
140
36
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=0.5 I
D25
R
G
= 1
(外部)
29
110
26
240
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
96
78
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.10
°
C / W
0.13
°
C / W
PLUS264
TM
( IXFB )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
注意1
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
注意事项:
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ,注1
I
F
= 25A , -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V
特征值
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
分钟。典型值。马克斯。
100
250
1.5
200
0.6
6.0
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲检验,t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2