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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第470页 > IXFB100N50P
PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFB 100N50P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
t
rr
= 500 V
= 100 A
49 m
200纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DRMS
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25° C
外部引线电流限制
T
C
= 25 ℃,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 2
T
C
= 25° C
最大额定值
500
500
±30
±40
100
75
250
100
100
5
20
1250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
N /磅
g
PLUS264
TM
( IXFB )
G
( TAB )
D
S
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
l
l
l
l
国际标准封装
快恢复二极管
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
塑料机身10秒
安装力
300
260
30..120/7.5...2.7
10
优势
l
l
l
PLUS 264
TM
包夹子或弹簧
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
3.0
5.0
±200
25
2000
49
V
V
nA
A
A
m
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
注意1
2006 IXYS所有权利
DS99496E(01/06)
IXFB 100N50P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
分钟。典型值。马克斯。
50
80
20
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
1700
140
36
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=0.5 I
D25
R
G
= 1
(外部)
29
110
26
240
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
96
78
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.10
°
C / W
0.13
°
C / W
PLUS264
TM
( IXFB )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
注意1
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
注意事项:
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ,注1
I
F
= 25A , -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V
特征值
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
分钟。典型值。马克斯。
100
250
1.5
200
0.6
6.0
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲检验,t
300
s,
占空比
2 %
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXFB 100N50P
图。 1.输出特性
@ 25C
100
90
80
70
V
GS
= 10V
8V
220
200
180
160
8V
V
GS
= 10V
9V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I
D
- 安培
7V
140
120
100
80
60
40
6V
7V
6V
5V
3.5
4
4.5
5
5.5
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
100
90
80
70
V
GS
= 10V
8V
7V
3.1
2.8
2.5
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 50A价值
V秒。结温
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
2.2
1.9
1.6
1.3
1
I
D
= 50A
I
D
= 100A
60
50
6V
40
30
20
5V
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0.7
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS ( ON)
归到我
D
= 50A价值
与漏电流
3
2.8
2.6
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
90
80
70
图。 6,最大漏极电流V秒。
外壳温度
外部引线电流限制
R
DS ( ON)
- 归
2.4
I
D
- 安培
T
J
= 25C
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
60
50
40
30
20
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏
2006 IXYS所有权利
IXFB 100N50P
图。 7.输入导纳
160
140
120
105
150
135
120
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
100
80
60
40
T
J
= 125C
25C
- 40C
90
75
60
45
30
T
J
= - 40C
25C
125C
20
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
15
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
300
10
9
250
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 50A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
200
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
6
5
4
3
2
1
150
100
50
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
F = 1 MHz的
1,000
图。 12.正向偏置安全工作区
电容 - 皮法
国际空间站
10,000
R
DS ( ON)
极限
25s
100
100s
I
D
- 安培
OSS
1,000
1ms
10
10ms
DC
T
J
= 150C
T
C
= 25C
1
RSS
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXFB 100N50P
图。 13.最大瞬态热阻
1.000
R
(日) JC
- C / W
0.100
0.010
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲W ID - 秒
2006 IXYS所有权利
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFB100N50P
    -
    -
    -
    -
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IXYS
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联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
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IXYS
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一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
IXFB100N50P
IXYS
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联系人:林小姐 胡先生 张先生
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IXFB100N50P
IXYS
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXFB100N50P
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联系人:刘先生
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联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXFB100N50P
IXYS
24+
12000
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