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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第519页 > IXFA7N100P
POLAR
TM
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在整流器
IXFA7N100P
IXFP7N100P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 1000V
= 7A
1.9Ω
Ω
TO- 263 AA ( IXFA )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米( 0.062 )
塑料机身10秒
安装力矩
TO-263
TO-220
(TO-220)
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±30
±40
7
18
7
300
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
国际标准封装
快速内在整流器
额定雪崩
低R
DS ( ON)
和Q
G
低封装电感
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
1000
3.0
6.0
V
V
高功率密度
易于安装
节省空间
特点
G =门
S =源
G
DS
D( TAB )
G
S
D( TAB )
TO- 220AB ( IXFP )
D =漏
TAB =漏
应用
开关模式和谐振模
电源
DC- DC转换器
激光驱动器
AC和DC马达驱动器
机器人和伺服控制
±100
nA
15
μA
1.0毫安
1.9
Ω
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5
I
D25
注意1
2009 IXYS公司,版权所有
DS99924A(10/09)
IXFA7N100P
IXFP7N100P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
R
Gi
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-220
0.50
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
= 0.5
I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 10Ω (外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 20V ,我
D
=
0.5
I
D25
注意1
门输入电阻
特征值
分钟。
典型值。
最大
3.6
6.0
1.8
2590
158
26
25
49
42
44
47
21
21
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42
° C / W
° C / W
DIM 。
A
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
0.51
1.14
0.40
1.14
8.64
8.00
9.65
6.22
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
4.83
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.89
10.41
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.13
英寸
分钟。马克斯。
.160
.020
.045
.016
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.190
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.005
1.
2.
3.
4.
集热器
辐射源
集热器
底部
SIDE
TO- 263 ( IXFA )大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V ,注1
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 3.5A , -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V
0.4
4.0
特征值
分钟。
典型值。
最大
7
28
1.3
300
A
A
V
ns
μC
A
TO- 220 ( IXFP )大纲
注1.脉冲检验,t
300μS ,占空比D
2%.
引脚:
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123B1
6,306,728B1
6,404,065B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
7,005,734B2
6,759,692
7,063,975B2
6,771,478B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFA7N100P
IXFP7N100P
图。 1.输出特性@ TJ = 25℃
7
V
GS
= 10V
8V
14
V
GS
= 10V
8V
图。 2.扩展的输出特性@ TJ = 25℃
6
12
10
5
I
D
- 安培
4
3
I
D
- 安培
7V
8
7V
6
2
6V
4
2
6V
5V
0
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
35
1
5V
0
0
2
4
6
8
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 125C
7
V
GS
= 10V
8V
3.0
2.6
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 3.5A与价值
结温
V
GS
= 10V
6
5
R
DS ( ON)
- 归
7V
2.2
1.8
I
D
= 7A
I
D
- 安培
4
3
6V
1.4
1.0
I
D
= 3.5A
2
1
5V
0.6
0.2
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS ( ON)
归到我
D
= 3.5A价值
与漏电流
2.6
2.4
2.2
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
6.0
8.0
7.0
图。 6,最大漏极电流与
外壳温度
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
T
J
= 25C
0
2
4
6
8
10
12
14
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2009 IXYS公司,版权所有
IXFA7N100P
IXFP7N100P
图。 7.输入导纳
14
12
T
J
= 125C
25C
- 40C
14
T
J
= - 40C
12
25C
图。 8.跨导
10
10
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
8
6
4
8
6
4
125C
2
0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
30
16
14
25
12
V
DS
= 500V
I
D
= 3.5A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
20
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
10
8
6
4
2
15
10
5
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 12.最大瞬态热阻抗
图。 11.电容
10,000
1.00
f
= 1兆赫
西塞
电容 - 皮法
Z
(日) JC
- C / W
20
25
30
35
40
1,000
科斯
0.10
100
CRSS
10
0
5
10
15
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF : F_7N100P ( 56 ) 08年9月16日
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFA7N100P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFA7N100P
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IXFA7N100P
IXYS
24+
12000
TO-263
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
IXFA7N100P
IXYS
2025+
26820
TO-263-3
【原装优势★★★绝对有货】
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXFA7N100P
Littelfuse Inc.
24+
10000
TO-263AA(IXFA)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IXFA7N100P
IXYS/艾赛斯
24+
12300
TO-263
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IXFA7N100P
IXYS
21+22+
12600
TO263
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IXFA7N100P
IXYS
21+
1360
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004318764 复制

电话:15321902067
联系人:韩
地址:北京市海淀区上地三街9号E座2层
IXFA7N100P
IXYS
5
全新
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电话:171-4729-9698(微信同号)
联系人:周小姐,171-4729-9698微信同号,无线联通更快捷!
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7000
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